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利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

冯团辉 , 卢景霄 , 张宇翔 , 郜小勇 , 杨仕娥 , 李瑞 , 靳锐敏 , 王海燕

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.

关键词: 快速热退火 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 晶粒尺寸 , 暗电导率

用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

张宇翔 , 王海燕 , 陈永生 , 杨仕娥 , 郜小勇 , 卢景霄 , 冯团辉 , 李瑞 , 郭敏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.

关键词: 多晶硅薄膜 , 快速光热退火 , 固相晶化

薄膜结构性能变化中的"温度临界点"

张丽伟 , 卢景霄 , 李瑞 , 冯团辉 , 靳锐敏 , 张宇翔 , 李维强 , 王红娟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.037

本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在"温度临界点",然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的"温度临界点".结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在"温度临界点";在"温度临界点"前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点.进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中"温度临界点"可能不止一个.

关键词: 温度临界点 , 薄膜结构 , X射线衍射 , 拉曼光谱

Yb~(3+)、Ho~(3+)掺杂浓度及晶粒尺寸对NaYF_4∶Yb~(3+),Ho~(3+)上转换材料发光的影响

郝秀利 , 陈永生 , 陈喜平 , 周建朋 , 王洪洪 , 卢景霄 , 杨仕娥

功能材料

EDTA作为络合剂,在pH值为5的条件下,采用水热法制备了NaYF4∶Yb3+,Ho3+微米棱柱上转换材料,研究了掺杂浓度和晶粒尺寸对上转换发光特性的影响。实验发现材料发光主要以绿光为主,最佳的Yb3+、Ho3+掺杂浓度分别为25%和1%,高于此值均会出现浓度猝灭效应。通过改变溶液中NaF/NH4HF2摩尔比来调控晶粒的尺寸,发现随着晶体颗粒尺寸的增大,材料中Yb3+浓度增加,从而使上转换发光增强。

关键词: 上转换材料 , 氟化钇钠 , 水热法 , 发光强度

等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

陈永生 , 杨仕娥 , 卢景霄 , 郜小勇 , 张宇翔 , 王海燕 , 李瑞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.039

本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.

关键词: 微晶硅薄膜 , 晶化率 , 等离子体增强化学气相沉积

掺铝氧化锌薄膜表面织构机制的研究

郜小勇 , 林清耿 , 冯红亮 , 陈永生 , 杨仕娥 , 谷锦华 , 卢景霄

功能材料

采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究.研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成.它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键.

关键词: 氯化铵 , 掺铝氧化锌薄膜 , 表面织构

非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

陈永生 , 卢景霄 , 张宇翔 , 王生钊 , 杨仕娥 , 郜小勇 , 李秀瑞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.047

采用RTA方法对PECVD沉积的a-Si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法.通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理.研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用.

关键词: 多晶硅薄膜 , 快速热退火 , 固相晶化

多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究

王海燕 , 卢景霄 , 吴芳 , 王子健 , 张宇翔 , 靳瑞敏 , 张丽伟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.034

本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为.分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果.

关键词: 氧钝化 , 快速热处理(RTP) , 快速热氧化(RTO) , 减反膜

常规退火与光退火固相晶化的对比

靳锐敏 , 卢景霄 , 王海燕 , 张丽伟 , 王生钊 , 刘萍 , 王红娟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.039

为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 传统退火炉子 , 光退火 , 晶粒大小 , 拉曼光谱 , XRD , SEM

氧化锌微米棱棒的水热法制备和稀土掺杂

王洪洪 , 陈永生 , 周建朋 , 何伟 , 卢景霄

人工晶体学报

本文采用水热法,通过改变溶剂制备了不同形貌的氧化锌微米棱棒,并尝试对其进行稀土Er3+的掺杂.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)及分光光度计对所得产物的组成、形貌、发光性能和光学特性进行了研究.实验表明:醇-水的环境有利于得到形态均匀的微米棱棒,醇水比例为1∶2.5,激子辐射复合发光与缺陷发光的比例最高,缺陷浓度最低,晶体质量最高.随着Er3+掺杂浓度的增加吸收强度增强,Er3+掺杂浓度达4mol%时吸收度不再变化.

关键词: 水热法 , 氧化锌 , 光学性能

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