王沛
,
明海
,
章江英
,
鲁拥华
,
谢建平
,
刘键
,
卢勇
,
张其锦
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.020
本文比较了连续矾酸钇倍频激光(输出波长532 nm),脉冲Nd:YAG倍频激光(输出波长532 nm、脉宽8 ns、重复频率10 Hz)作用下,偶氮侧链液晶聚合物薄膜的光致双折射效应和光记录特性.根据实验结果和数值模拟情况[8],引入温度效应,提出分子团积和主链链段取向效应,给出了基于光致双折射效应长久光信息记录的解释.
关键词:
偶氮液晶聚合物
,
光致双折射
,
长久光存储
何捷
,
林理彬
,
王鹏
,
卢勇
,
邹萍
,
王治国
,
甘荣兵
功能材料
用能量为1.7MeV,束流强度0.7μA*cm-2,总注量6.3×l016 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UV-VIS和PAT测试,表明通过电子辐照样品在237nm和370nm处产生吸收带,它们主要是F心及V型色心.通过退火可以使F心及V型色心吸收峰消除,但F心的消除温度要高于V型色心,且其在退火过程中形成F聚心,F聚心随F心聚集增加其峰位将向紫外移动.
关键词:
镁铝尖晶石透明陶瓷
,
电子辐照
,
等时退火
,
F聚心
卢勇
,
林理彬
,
卢铁城
,
何捷
,
邹萍
功能材料
利用能量为1.7MeV、注量分别为1013～1015/cm2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响.结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化.电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响.
关键词:
VO2薄膜
,
结构
,
相变性能
,
电子辐照
卢勇
,
林理彬
,
邹萍
,
何捷
,
王鹏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.015
本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度，利用真空还原V2O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2薄膜；通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响，得到最佳真空还原参数；制备的薄膜高/低温电阻变化最大达3个数量级，900nm波长光透过率在相变前后改变了40%左右，光学特性相变响应参数较大，热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究，结果表明较低温度退火有利于V5+离子的还原，而升高退火温度可改善结晶状态，退火时间对VO2中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。
关键词:
VO2薄膜
,
热致相变
,
光电性能
卢勇
,
林理彬
,
何捷
,
卢铁城
功能材料
对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理,利用SEM和xPS对辐照前后的薄膜进行分析,发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象,并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关;较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤,当辐照剂量增大时,γ射线在VO2薄膜中产生退火效应,使薄膜表面质量得到改善.辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合,对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论.
关键词:
VO2薄膜
,
γ辐照
,
变价
,
退火效应
陈军
,
林理彬
,
张晋
,
何维
,
卢勇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.005
本文运用嵌入原子簇的电荷自洽离散变分方法(DVM-Xα方法)分别对Sr∶BaF2晶体中F,F+和FA[Sr2+]心的能级结构进行了计算,得到了F,F+和FA[Sr2+]心的光学吸收跃迁模式,其跃迁能量分别是1.91eV,1.89eV,2.13eV.我们认为,经电子辐照后的Sr∶BaF2晶体,在光吸收实验中测到的640nm(1.94eV),840nm(2.15eV)两个峰分别是由于电子辐照过程中形成的F和FA[Sr2+]心的吸收峰,在光诱导下并存在着F→FA[Sr2+]心的可逆转换过程.本文的计算结果合理地解释了实验所观测到的现象.
关键词:
F型色心
,
氟化钡晶体
,
闪烁晶体
,
能级结构
,
光致转型
卢勇
,
林理彬
功能材料
报道了利用真空还原制备的VO2薄膜的红外透射光谱和Raman光谱,并进行370～900nm波段的光透射测试以及900nm波长的热滞回线特性测试,表明所制备VO2薄膜具有优良的热致相变光学特性,结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性.讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2薄膜的红外光谱.
关键词:
VO2薄膜
,
红外光谱
,
激光Raman散射
何捷
,
林理彬
,
卢勇
,
邹萍
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.015
本文用不同剂量的γ射线辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,UV-VIS和FI-IR测试表明,辐照前3360cm-1处有吸收峰,它是由V-1OH心吸收引起的.经γ辐射,样品在370nm处产生吸收带,它是由辐照产生的V型色心吸收引起的.通过退火可以使V型色心吸收带消除.结果表明:较低剂量的γ辐照能降低陶瓷紫外到红外的透过率;大剂量的γ辐照能在陶瓷中产生退火效应,能增加陶瓷红外透过率.
关键词:
镁铝尖晶石透明陶瓷
,
γ辐照
,
V型色心
,
透过率
