材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

在溶胶溶液中通过PAA模板沉积不同时间制备出LiCoO₂晶须有序阵列。电子显微镜结果显示,沉积较长时间,所得晶须长度较长,分布更均匀,并且结晶程度更好。XRD分析表明得到了层状的LiCoO₂结构。电化学测试表明LiCoO₂晶须有序阵列电极具有很好的电化学可逆性和较高的容量。

关键词: LiCoO₂晶须 , array electrode , Li ion battery , PAA template

低压化学气相沉积法制备单壁碳纳米管

李燕 , 李梦轲 , 王成伟 , 力虎林

功能材料

采用低压化学气相沉积(CVD)技术在MgO载体中的Fe、Co等纳米催化颗粒上制备碳纳米管(CNTs),用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及喇曼光谱仪(Raman)对生长的CNTs结构特性进行了分析研究,结果表明制备的样品中虽含多壁碳纳米管,但单壁碳纳米管(SWNTs)居多,直径约为0.6～2nm,分布均匀,且既包含金属型管,也包含半导体型管.低压MgO载体CVD制备技术,大大增加了等量Fe、Co等催化反应颗粒的比表面积和反应活性,制备的单壁管产额大、成本低、CNTs更易于提纯.

关键词: 低压化学气相沉积 , 单壁碳纳米管 , MgO载体 , 纳米催化颗粒

Fe0.3Co0.7纳米有序阵列的制备和磁性

覃东欢 , 力虎林

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.05.011

使用小孔径阳极氧化铝模板制备Fe0.3Co0.7纳米线有序阵列,研究了热处理对其磁性的影响.结果表明,热处理对Fe0.3Co0.7纳米线有序阵列的结晶度和局部形状各向异性有重大的影响,导致纳米阵列的矫顽力和剩磁比发生相应的变化.在适当热处理条件下获得的Fe0.3Co0.7纳米线有序阵列具有较高的矫顽力和剩磁比.在H2保护下550℃处理时获得最高的矫顽力2.63×105 A/m,矫顽力随着热处理时间的增加先是快速增加,然后趋向平缓,最后有一定程度的下降.

关键词: 金属材料 , Fe0.3Co0.7纳米线 , 电化学沉积 , 垂直磁各向异性

沉积时间对LiCoO2晶须有序阵列电极的影响及其电化学性质

周盈科 , 贺本林 , 申承民 , 力虎林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.015

在溶胶溶液中通过PAA模板沉积不同时间制备出LiCoO2晶须有序阵列.电子显微镜结果显示,沉积较长时间,所得晶须长度较长,分布更均匀,并且结晶程度更好.XRD分析表明得到了层状的LiCoO2结构.电化学测试表明LiCoO2晶须有序阵列电极具有很好的电化学可逆性和较高的容量.

关键词: LiCoO2晶须 , 阵列电极 , 锂离子电池 , PAA模板

硅表面嫁接有机单分子膜的研究近况

孙乔玉 , 黄吉儿 , 力虎林 , Catherine Henry de Villeneuve , Philippe Allongue

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.001

由于在微电子、化学/生物化学传感器、纳米技术及太阳能等领域具有潜在的应用价值,通过Si-C键在硅表面上直接嫁接有机单分子膜,已成为近几年新开展的研究热点. 对这一研究领域进行了概要综述.

关键词: 硅 , 有机单分子膜 , 嫁接 , 综述

界面微分电容法单晶硅表面单分子膜质量的检测

孙乔玉 , 力虎林 , Catherine Henry de Villeneuve , Philippe Allongue

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.007

用界面电容分析法,研究了影响烯烃类分子在氢结尾的硅(111)表面上通过Si-C 键嫁接有机单分子膜的某些因素和有机单分子膜对硅表面氧化的钝化作用. 指出嫁接反应条件或嫁接分子的反应活性的差异都会影响所形成的单分子膜的质量;在所选择的反应条件下,由于烯烃修饰的硅表面上嫁接分子所占的体积分数约为0.90,故只能对硅表面的氧化产生有限的钝化作用. 另外,系统测量了不同链长的烯烃分子形成的有机单分子膜的电容特性参数.

关键词: 硅表面 , 有机嫁接单分子膜 , 界面微分电容分析

醇类在Si-H表面形成单分子膜的特性

孙乔玉 , 黄吉儿 , C.Henry de Villeneuve , 力虎林 , P.Allongue

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2003.06.011

以界面电容分析法为主并结合XPS、AFM技术研究了醇类分子在Si(111)-H表面上形成的有机单分子膜的特性. 并探讨了嫁接反应中影响单分子膜特性的某些因素和单分子膜的稳定性及其对硅表面氧化的钝化作用. 在所选择的反应条件下,不同链长醇分子修饰的硅表面上,嫁接分子所占体积分数约为80%,平带电位约为-1.00 V(vs.SSE). 研究表明,这类膜稳定性和对硅表面氧化的钝化作用非常有限.

关键词: Si(111)-H表面,单分子膜,醇类