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致密PZT95/5铁电陶瓷低温相结构与电性能研究

兰春锋 , 聂恒昌 , 陈学锋 , 王军霞 , 王根水 , 董显林 , 刘雨生 , 贺红亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12359

采用固相法制备了致密PZT95/5铁电陶瓷,研究了低温下致密PZT95/5铁电陶瓷相结构和电性能的变化规律.变温X射线衍射(XRD)研究表明,低温(-60℃)下极化和未极化致密PZT95/5铁电陶瓷相结构保持不变.电性能研究表明随着温度从30℃下降至-60℃,致密PZT95/5铁电陶瓷的相对介电常数从278显著下降至173,而电阻率和剩余极化强度基本保持不变.结合冲击波载荷下动态放电模拟分析,发现相对介电常数的降低将引起动态电场增大至常温下的1.5倍,这可能是导致致密PZT95/5铁电陶瓷低温下击穿概率显著增大的关键因素.

关键词: PZT95/5铁电陶瓷 , 低温 , 相结构 , 电性能

PZT铁电陶瓷及其在脉冲能源中的应用

刘高旻 , 刘雨生 , 张毅 , 杜金梅 , 贺红亮

材料导报

以PZT 95/5陶瓷为例,概述了铁电陶瓷在脉冲能源上的应用及材料对能源性能的影响.主要包括陶瓷的制备及性能、陶瓷的冲击放电机理和陶瓷的冲击放电效应及影响因素.通过比较我们认为,陶瓷的研制,特别是密度的改变对陶瓷的力学及电学性能影响较大.陶瓷冲击加载下的新应用,将带动陶瓷各方面性能的深入研究.

关键词: 铁电陶瓷 , 冲击波 , 脉冲能源

立方氮化硅的冲击波合成实验研究

刘雨生 , 姚怀 , 张福平 , 贺红亮 , 唐敬友

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00159

以α-Si3N4粉体作原材料, 采用炸药爆轰平面飞片加载 装置和样品回收技术进行了冲击波合成实验, 完整回收到合成样品, 经过酸处理, 对回收样品进行X射线衍射分析, 结果表明: 当加载压力超过50GPa而且冲击温度约3600~5000K时, α-Si3N4可以较完全地转化为γ-Si3N4. 本实验的研究结果建立了一种冲击压缩技术可单次合成克量级的立方氮化硅, 为进一步开展立方氮化硅的性能研究奠定了基础.

关键词: 冲击压缩 , synthesis , cubic silicon nitride

立方氮化硅的研究进展

唐翠霞 , 唐敬友 , 寇自力 , 刘雨生 , 贺红亮

材料导报

立方氮化硅作为氮化硅的第三种物相,具有比α-Si3N4、β-Si3N4高的体积模量及硬度,是继金刚石与立方氮化硼之后的第三种超硬材料.从静高压合成与动高压合成两个方面综述了立方氮化硅粉体的合成研究现状,详细阐述了立方氮化硅的晶体结构及性能,介绍了立方氮化硅块体材料的研究进展,并展望了立方氮化硅的应用及研究前景.

关键词: 立方氮化硅 , 高压合成 , 晶体结构 , 性能 , 块体材料

立方氮化硅的冲击波合成实验研究

刘雨生 , 姚怀 , 张福平 , 贺红亮 , 唐敬友

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.032

以α-Si3N4粉体作原材料,采用炸药爆轰平面飞片加载装置和样品回收技术进行了冲击波合成实验,完整回收到合成样品,经过酸处理,对回收样品进行X射线衍射分析,结果表明:当加载压力超过50GPa而且冲击温度约3600~5000 K时,α-Si3N4可以较完全地转化为γ-Si3N4.本实验的研究结果建立了一种冲击压缩技术可单次合成克量级的立方氮化硅,为进一步开展立方氮化硅的性能研究奠定了基础.

关键词: 冲击压缩 , 合成 , 立方氮化硅

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