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CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征

刘永胜 , 成来飞 , 张立同 , 徐永东 , 刘谊

无机材料学报

以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀.

关键词: 化学气相渗透(CVI) , C/Si3N4 composites , microstructure , process parameters

CVI制备Si3N4p/Si3N4透波材料表征与性能

刘谊 , 刘永胜 , 张立同 , 成来飞 , 徐永东

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00979

以SiCl4-NH3-H2为反应体系, 采用化学气相渗透(CVI)法制备Si3N4p/Si3N4透波材料. XRF测试表明试样主要含Si、N、O三种元素. XRD测试表明复合材料主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物和非晶SiO2, 并有微量的β-Si3N4和晶体Si, 高温热处理可使非晶沉积物转变为α-Si3N4和β-Si3N4. SEM照片显示颗粒团间结合不够致密, 残留气孔偏大. 试样的弯曲强度最高为94MPa, 介电常数为4.1~4.8.

关键词: Si3N 4p/Si3N4透波材料 , null , null , null

ICVI法制备Si3N4P/Si3N4复合材料致密化行为数值模拟

胡卓沛 , 成来飞 , 魏玺 , 赵春年 , 刘谊

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2006.05.021

根据Si3N4颗粒增强体的结构特点及等温化学气相法(ICVI)的工艺特点,对Si3N4颗粒增强Si3N4复合材料的致密化过程进行了数值模拟.用球形孔隙模型表征Si3N4颗粒增强体的结构特征,用传质连续方程表征先驱体在预制体中的浓度分布.为了检验模型的准确性和适用性,进行了相应的实验验证.模拟结果与实验结果具有相似的致密化规律,预测的渗透时间和孔隙率与实验结果均十分接近,表明本文中建立的数学模型可以较好地表征Si3N4P/Si3N4复合材料的ICVI过程.

关键词: Si3N4P/Si3N4复合材料 , 等温化学气相渗透 , 数值模拟

CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征

刘永胜 , 成来飞 , 张立同 , 徐永东 , 刘谊

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.030

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀.

关键词: 化学气相渗透(CVI) , C/Si3N4复合材料 , 微观结构 , 工艺参数

CVI制备Si3N4p/Si3N4透波材料表征与性能

刘谊 , 刘永胜 , 张立同 , 成来飞 , 徐永东

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.035

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透(CVI)法制备Si3N4P/Si3N4透波材料.XRF测试表明试样主要含Si、N、O三种元素.XRD测试表明复合材料主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物和非晶SiO2,并有微量的β-Si3N4和晶体Si,高温热处理可使非晶沉积物转变为α-Si3N4和β-Si3N4.SEM照片显示颗粒团间结合不够致密,残留气孔偏大.试样的弯曲强度最高为94MPa,介电常数为4.1~4.8.

关键词: Si3N4P/Si3N4透波材料 , 化学气相渗透(CVI) , 弯曲强度 , 介电常数

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