王灿
,
陈宁
,
刘英伟
,
赵磊
,
薛大鹏
,
杜建华
,
郭炜
,
王路
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163103.0276
氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用.在高厚度(尤其是大于70 nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度.本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值.
关键词:
薄膜晶体管
,
非晶氧化铟锡
,
残留
,
成膜
,
刻蚀
刘英伟
,
乔英杰
材料科学与工程学报
加热单元是催化燃烧式传感器的重要元件,由氧化铝基板和以磁控溅射方法镀覆其表面的铂片组成.当电流通过时,铂片发热,形成温度场.由于温度分布不均匀,铂片和基板会产生变形并导致热应力的产生,这必然会影响到传感器的工作.为考察这种影响,本文采用有限元法对这一过程进行了热力耦合分析,得到了温度场和应力应变场.结果表明,传感器表面受到拉应力,在工作温度下,拉应力小于材料的屈服强度,传感器可以正常工作.
关键词:
热力耦合分析
,
有限元模拟
,
ANSYS
,
传感器
