张久兴
,
张隆
,
路清梅
,
刘科高
,
刘丹敏
,
周美玲
,
左铁镛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.013
采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了N型La0.9NixCo4-xSb12(x=0.05-1.0)化合物热电材料.借助于先进的结构和性能表征手段,系统研究了Ni含量对化合物热电性能的影响规律.实验结果表明,随着Ni含量增加,La0.9NixCo4-xSb12化合物的电阻率和Seebeck系数减小.当Ni含量x＜0.6时,化合物的热导率随Ni含量增大而降低,说明加入一定量的Ni能很好地降低材料的热导率.N型La0.9Ni0.4Co3.6Sb12化合物在温度773K时具有最大的热电性能优值(ZT)0.4558.
关键词:
N型热电材料
,
Skutterudite化合物
,
Ni置换
,
热电性能
孙华
,
马洪芳
,
刘科高
,
刘义
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.01.018
化学镀Ni-P可以改善铝合金易产生晶间腐蚀、表面硬度低、不耐磨损等缺陷,欲使镀层与铝合金基体具有很好的结合力,前处理工艺则显得尤为重要.采用正交试验,用极差法分析了活化和预镀镍各工艺参数对后续化学镀Ni-P镀速影响的主次顺序,确定了活化和预镀镍镀液的最佳配方及各工艺条件,并利用金相显微镜、扫描电镜能谱、增重法、热震实验和失重法等测试了采用最佳活化、预镀镍工艺所得镀层的形貌和性能,结果表明:所确定的活化、预化学镀镍前处理工艺可显著提高镀层的硬度、沉积速率及其与基体的结合强度,镀层组织致密均匀,耐蚀性优良.
关键词:
化学镀
,
Ni-P合金
,
沉积速率
,
镀层性能
,
活化-预化学镀
,
预镀镍
石璐丹
,
刘科高
,
张力
,
高稳成
表面技术
目的：获得结晶好、连续均匀的 CuS 薄膜。方法采用电沉积方法制备 CuS 薄膜,研究络合剂、硫源及铜硫离子比例对镀液电化学性能的影响,分析不同沉积电位下所得薄膜的相组成。结果柠檬酸钠的络合效果最好,EDTA 最差；硫代硫酸钠作为硫源时,其还原电位较硫脲为硫源时正,氧化电位较负,水平距离值较小,更容易实现共沉积；铜硫离子比例为1时,施镀最合适。沉积电位为-0.8 V 时,薄膜的XRD 图谱中有氧化亚铜的衍射峰；当沉积电位在-0.9 V 时,生成了 Cu2 S 相；沉积电位在-0.9~-1.2 V时,生成了目标产物 CuS,并且-1.2 V 时的衍射峰强度比较高,结晶良好。结论最佳沉积条件如下：柠檬酸钠为络合剂,硫代硫酸钠为硫源,铜硫离子比为1,沉积电位为-1.2 V。
关键词:
电沉积
,
CuS 薄膜
,
镀液性能
刘科高
,
张久兴
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.03.004
采用烧结和退火工艺制备了CoSb3块体热电材料,并探讨了退火对热电性能的影响.用X射线衍射分析了样品的相组成,用电常数测试仪和激光热导仪测试了样品的热电性能.结果表明,退火前后样品具有相同的相组成,其电阻率随着温度的升高而降低,具有典型的半导体电学特征;在相同温度下退火样品的ZT值低于或近似于未退火的样品,因此退火对于提高和改善CoSb3块体材料的热电性能没有明显作用.
关键词:
烧结
,
退火
,
热电性能
,
CoSb3
孙华
,
马洪芳
,
刘科高
,
冯立明
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.04.011
为获得化学镀Ni-Co-P工艺配方的合理配比,运用单因素对比实验,探讨了各种添加剂对化学镀Ni-Co -P合金镀液和镀层性能的影响,确定了各添加剂浓度范围,选取5个工艺参数,设计了L16(45)正交实验方案,用极差法分析了各参数对工艺性能影响的顺序,确定了最佳工艺配方.结果表明:当溶液中硫酸镍40 g/L,硫酸钴2 g/L,次磷酸钠25 g/L,柠檬酸钠50 g/L,硼酸为20 g/L,添加剂A为20-40 g/L,pH值7.0,温度90℃时,可以得到可以得到含钴量3.7%、含磷量约6%的Ni-Co-P中磷合金镀层,镀层表面胞状物均匀分布,组织致密.
关键词:
化学镀
,
低温
,
超声波
,
沉积速度
