高攀
,
刘熙
,
严成锋
,
忻隽
,
陈建军
,
孔海宽
,
郑燕青
,
施尔畏
人工晶体学报
SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响.结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备.
关键词:
SiC晶体
,
原料
,
粒径
,
堆积密度
刘熙
,
高攀
,
严成锋
,
孔海宽
,
忻隽
,
陈建军
,
施尔畏
人工晶体学报
本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间；中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应；同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.
关键词:
碳化硅
,
生长速率
,
有限元
姜涛
,
严成锋
,
陈建军
,
刘熙
,
杨建华
,
施尔畏
人工晶体学报
本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理.采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响.发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用.
关键词:
6H-SiC
,
退火
,
AFM
,
台阶结构
刘熙
,
陈博源
,
陈之战
,
宋力昕
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00177
生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同. 在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料（50%、55%、60%）对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响. 实验发现，在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高, 过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降. 同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料（50%、55%、60%）在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度. 因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射, 所以空隙率增大会导致其等效热导率增大. 模拟结果表明：60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热, 初期晶体生长速率最大. 模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
关键词:
碳化硅
,
growth rate
,
finite element method
王天正
,
徐霞
,
郝晋堂
,
刘熙
,
董泽华
,
王鹏皓
腐蚀学报（英文）
doi:10.11903/1002.6495.2015.218
采用小孔限流与护环电极电流约束设计,并结合电化学阻抗技术,设计了一种能实时监测接地网腐蚀状态的电化学传感器.该传感器通过小孔限流将极化电流约束在小孔于接地网钢板上的投影区,同时通过护环电极电流约束电路,使弥散电流得到补偿,因而较传统方法可以更准确测量接地网的腐蚀速率.系统还通过B/S网络模式和SQL数据库技术,建立了一个集成腐蚀监测、太阳能供电、无线通讯和网络数据库的无线监控系统,实现了基于Internet的现场腐蚀监测数据的网络化访问,使授权用户足不出户即可通过公众网或局域网实时查看现场腐蚀数据或曲线,包括接地网腐蚀速率、腐蚀余量、土壤电阻率与自腐蚀电位等关键参数.通过山西阳泉和太原两个变电站近一年的现场监测表明:该监测系统可以较为准确地测量接地网的腐蚀速率,是接地网可靠运行的重要保障条件之一.
关键词:
接地网
,
腐蚀测量
,
远程监控
,
电流约束
,
电化学阻抗
刘熙
,
陈博源
,
陈之战
,
宋力昕
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00177
生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同.在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响.实验发现,在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高,过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降.同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度.因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射,所以空隙率增大会导致其等效热导率增大.模拟结果表明:60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热,初期晶体生长速率最大.模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
关键词:
碳化硅
,
生长速率
,
有限元
卓世异
,
刘熙
,
高攀
,
严成锋
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160268
施主受主共掺杂的荧光4H-SiC可以通过复合发出可见光,影响其发光性能的一个重要因素是施主-受主掺杂的浓度.本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体,采用Raman光谱、SIMS对晶体的结晶类型和掺杂浓度进行了表征;采用PL发射谱和激发谱、荧光衰减曲线表征和内量子效率对晶体的发光波长、强度、施主-受主对复合发光性能进行了研究.结果发现,低浓度Al掺杂样品在室温下发出黄绿色荧光.低浓度Al掺杂在晶体中提供较少的受主;高浓度B、N掺杂形成施主,从而贡献充足的电子-空穴对.这些电子-空穴的复合提高了施主-受主对复合的内量子效率,进而增强光致发光强度,增加平均发光寿命.
关键词:
碳化硅
,
光致发光
,
内量子效率
