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陈长春 , 余本海 , 刘江锋 , 王林
材料导报
Si材料表面形成纳米化图案是制作新型硅基纳米电子器件、光电子器件等的基础和前提.根据不同需要,在纳米图案化Si衬底表面淀积不同功能纳米材料则能将成熟Si平面工艺技术的优势与纳米材料的新功能优势结合起来而制作出性能优良的Si基纳电子和光电子器件.介绍了具有纳米图案化表面Si材料在晶格失配较大Ⅲ-Ⅴ族材...
关键词: 硅材料 , 制备技术 , 纳米图案化
陈长春 , 刘江锋 , 余本海 , 涂有超 , 戴启润
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.024
随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限.传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化.此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升.因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善...
关键词: 高介电常数材料 , 应变硅 , 金属栅极
