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1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量

李公平 , 张小东 , 刘正民

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.008

采用薄靶对能量1.30-2.21 MeV质子在纯度为99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(160°背散射角)进行了测量. 质子束由2×1.7 MV串列加速器提供, 测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪. 实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区, 测量结果与以前发表的结果进行了比较. 所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考.

关键词: 质子 , 背散射 , 截面