李阳平
,
陈海波
,
刘正堂
,
武倩
,
郑倩
,
张淼
,
徐启远
材料科学与工艺
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面，提高其高宽比，用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术，以SF6和02为反应气体，在Ge衬底上制备了二维亚波长结构，用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察，研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响，结果表明：刻蚀图形腰部被优先刻蚀，形成凹陷的侧壁轮廓；02流量增大有利于在侧壁形成保护层，从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀；功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大；方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构。
关键词:
锗
,
光刻
,
反应离子刻蚀
,
亚波长结构
,
掩模
陈继超
,
刘正堂
,
冯丽萍
,
谭婷婷
稀有金属材料与工程
采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了MoS2电子结构、振动和介电性质,得到了MoS2能带结构、态密度、介电谱和红外反射谱.研究表明,MoS2为间接带隙半导体.介电张量在垂直和平行于c轴方向表现出强烈的各向异性.电子屏蔽作用对介电常数贡献较强,晶格振动对介电常数贡献较弱.在300～500 cm-1波段,由于红外光学模的存在,材料与电磁波存在较强的相互作用,透波性能较差.
关键词:
MoS2
,
第一性原理
,
电子结构
,
振动
,
介电常数
冯丽萍
,
刘正堂
,
梅辉
,
宋文燕
材料导报
提高蓝宝石高温强度的研究已成为蓝宝石在高速、高温应用中一个亟待解决的重要课题.简要介绍了蓝宝石的高温失效及几种正在研究与发展的改善方法,并提出了今后需要进一步研究的关键问题.
关键词:
蓝宝石
,
高温强度
,
高温失效
刘正堂
,
耿东生
,
宋建全
,
朱景芝
,
郑修麟
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2000.02.016
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)对制备的薄膜进行了分析.结果表明,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数.当沉积温度较低、射频功率不大时,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构.随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ge微晶相.GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移,形成化学键.
关键词:
GexC1-x薄膜
,
磁控反应溅射
,
薄膜结构
宋建全
,
刘正堂
,
耿东生
,
郑修麟
材料导报
镀膜是保证红外窗口和头罩使用性能的关键技术.重点结合作者近几年的研究,介绍了类金刚石(DLC)、碳化锗(GexC1-x)、磷化物(BP、GaP)、金刚石(Diamond)等几种薄膜材料及其膜系的光学性能.
关键词:
红外
,
增透保护薄膜
,
膜系
宋文燕
,
刘正堂
,
崔虎
,
李强
,
赵铁成
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2005.05.004
采用射频磁控反应溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出Si3N4薄膜.利用XPS和FTIR分析了所制备薄膜的成分和结构,讨论了工艺参数对沉积速率的影响.结果表明,Si3N4薄膜的沉积速率随溅射气压的增大出现先增后减的趋势,衬底温度对沉积速率没有明显的影响.溅射气压的降低、衬底温度的提高将有利于获得高质量的Si3N4薄膜.
关键词:
磁控反应溅射
,
蓝宝石
,
氮化硅薄膜
,
沉积速率
冯丽萍
,
刘正堂
,
李阳平
,
陈继权
功能材料
用抛光铝合金作衬底在平行孪生靶的磁控溅射设备中制备出二氧化钛薄膜,薄膜厚度为500nm,XRD测量表明二氧化钛薄膜为锐钛矿型(anatase).该薄膜在紫外光源照射下,对甲苯、苯、二氧化硫及香烟气体有良好的降解作用;对大肠杆 菌、金黄色葡萄糖菌有良好的去除作用.
关键词:
蓝宝石
,
SiO2薄膜
,
膜系设计
,
射频磁控反应溅射
胡光立
,
刘正堂
,
王平
,
华文君
,
康沫狂
金属学报
本文研究了15CrMnMoV,18Mn2CrMoB,18Cr2Ni4W,30CrMnSi,30CrMnSiNi2及40CrMnSiMoV等结构钢获得贝氏体组织后,于一系列温度回火时的组织与性能变化,重点探讨了回火贝氏体脆性的表现行为和形成机理。
关键词:
等温淬火
,
tempered bainite embrittlement
,
mechanical stability
刘文婷
,
刘正堂
,
闫锋
,
田浩
,
刘其军
硅酸盐通报
采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证.结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2.在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大.氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能.
关键词:
射频磁控溅射
,
HfO2薄膜
,
界面层
,
电学性能
