材料期刊网

SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究

陈达 , 刘林杰 , 薛忠营 , 刘肃 , 贾晓云

材料导报

利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理.分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性.结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜.

关键词: 薄膜 , 减压化学气相沉积 , 硅锗 , 负载影响