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电子束焊接Zr-4合金管在腐蚀工况下产生异常蓝色氧化膜的微观成分和结构分析

白新德 , 刘晓阳 , 安锦 , 金兆熊 , 陈宝山 , 伍志明 , 刘芳言 , 童慎修

稀有金属材料与工程

针对电子束焊接后的Zr-4合金管在腐蚀工况下出现的异常蓝色环状氧化膜,使用XPS,EDX,TEM等分析手段研究了异常氧化膜和正常氧化膜的微观成分和结构.结果表明:正常氧化膜是透明的,异常蓝色氧化膜剥落后,也是透明的;异常蓝色氧化膜中Fe含量明显高于正常氧化膜中的Fe含量;Fe在氧化膜中主要是以氧化物Fe2O3的形式存在,Sn与Zr以SnO2,ZrO2的形式存在.

关键词: Zr-4合金 , 电子束焊接 , 氧化膜 , 微观结构 , 成分

高能氪离子轰击对纯锆耐蚀性的影响

彭德全 , 白新德 , 周庆刚 , 刘晓阳 , 余任泓 , 邓平晔 , 张岱岚

稀有金属材料与工程

为了研究高能氪离子轰击对纯锆水溶液中耐蚀性能的影响,纯锆样品用LC-4型离子注入机在40℃温度下进行高能氪离子轰击,注入剂量从1×1015ions/cm2到3×1016ions/cm2,注入能量为300keV.用X-射线光电子谱(XPS)分析注入表层元素价态,俄歇电子谱(AES)测试氧化膜的深度分布,用透射电镜(TEM)观察轰击样品的形貌和结构转变,轰击样品在1N硫酸溶液中的耐蚀性能用动电位极化测量曲线表征.结果表明:高能氪离子轰击样品后其耐蚀性能大大降低,轰击剂量越大,耐蚀性越差.最后讨论了辐照腐蚀的机理.

关键词: 纯锆 , 耐蚀性 , 氪离子轰击 , 动电位极化

溴酸钾-氨水-硝酸铵溶液化学退铜

刘晓阳 , 李国希 , 朱日龙 , 郑俊辉

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2008.06.004

研究了用溴酸钾-氨水-硝酸铵溶液退除碳钢上的铜镀层.铜镀层溶解和碳钢腐蚀试验表明,硝酸铵加速退铜效果好,溶液对碳钢腐蚀性小.确定的退铜工艺为50 g/L溴酸钾、325~400 mL/L 氨水、120~140 g/L硝酸铵、温度 20~40℃.溴酸钾是氧化剂;氨水与铜离子有很好的络合作用,并且提供碱性环境,使钢铁不容易腐蚀;硝酸铵增加铜的溶解速度.

关键词: 化学退铜 , 溴酸钾 , 腐蚀 , 铵盐

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

刘荣军 , 张长瑞 , 刘晓阳 , 周新贵 , 曹英斌

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.04.006

以CH3SiCl3-H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVD SiC涂层的组织结构.结果表明,随着沉积温度的提高,CVD SiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程, 1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔; 随着沉积温度的提高,CVD SiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β-SiC外还出现了少量α-SiC.

关键词: 沉积温度 , CVD , SiC , 沉积速率 , 结构

钇和铈离子注入纯锆的腐蚀行为研究

彭德全 , 白新德 , 陈小文 , 周庆刚 , 刘晓阳 , 余任泓

稀有金属材料与工程

为了研究铈,钇离子注入对纯锆耐蚀性的影响,纯锆样品用MEVVA源以40 kV注入1×1016 ions/cm2至1×1017 ions/cm2剂量的钇和铈,注入最高温度约为150℃.用X光电子谱仪(XPS)分析注入表层元素的价态;在1 mol/L硫酸溶液中3次极化测量来研究注入样品的耐蚀性.对于钇离子注入,当注入剂量大于5×1016 ions/cm2时,注入样品的耐蚀性显著提高.用掠角X射线衍射(GAXRD)研究氧化膜中由于铈离子注入发生的相转移.三次极化测量表明注铈样品与空白样品相比,耐蚀性下降许多.最后分别对注入钇和铈样品的腐蚀行为机理进行了探讨.

关键词: 纯锆 , 耐蚀性 , 钇和铈离子注入 , 动电位极化 , 相转移

电子封装用金属基复合材料的研究现状

朱敏 , 孙忠新 , 高锋 , 刘晓阳

材料导报

简要论述了金属封装材料、陶瓷封装材料、塑料封装材料的性能特点,以及各自作为封装材料存在的性能缺陷,并着重阐述了金属基复合材料作为电子封装材料的性能优势及其在电子封装技术中的发展现状,展望了金属基复合材料的发展趋势及应用前景.

关键词: 电子封装材料 , 传统封装材料 , 金属基复合材料

升温条件下Zr-H2O系电位-pH平衡图

陈小文 , 白新德 , 邓平晔 , 彭德全 , 刘晓阳

稀有金属材料与工程

通过热力学计算,绘制了298 K温度条件下Zr-H2O系电位-pH平衡图及升温条件(333,373,423 K)下Zr-H2O系电位-pH平衡图.所绘制的298 K温度下Zr-H2O系电位-pH平衡图与M.Pourbaix绘制的相同温度条件下Zr-H2O系电位-pH平衡图很好地吻合.比较分析不同温度条件下Zr-H2O系电位-pH平衡图发现,随着温度的升高,锆金属的免蚀区变化不大,而钝化区则明显缩小.从理论上说明了锆金属用于高温条件的局限性.

关键词: Zr-H2O系 , 热力学计算 , 电位-pH平衡图

镧离子注入对纯锆抗高温氧化性能的影响

彭德全 , 白新德 , 周庆钢 , 陈小文 , 余任泓 , 刘晓阳

稀有金属材料与工程

对纯锆表面注入了1×1016ions/cm2~1×1017ions/cm2的镧离子,并在500℃条件下进行了空气氧化增重研究.用XPS分析了注入的镧、锆的价态;用AES分析了镧锆氧三元素的深度分布;用0.3°小角X光掠射(GAXRD)分析了高温氧化时氧化锆的相转变.结果表明,纯锆表面注入La离子后,其抗高温氧化性能显著提高,且注入剂量越大效果越强,注入氧化膜以La2O3和ZrO2 2种形式存在;由于La离子的注入,促使形成大量四方相氧化锆(t-ZrO2),而且减少四方相氧化锆(t-ZrO2)向单斜相氧化锆(m-ZrO2)的转变,这是纯锆氧化速率降低的根本原因.

关键词: 纯锆:高温氧化 , 镧离子注入 , 相转变

直径300 mm氟化钙晶体的生长

甄西合 , 任绍霞 , 史达威 , 彭明林 , 刘晓阳 , 葛云程

人工晶体学报

通过化学处理提纯晶体原料,采用模拟软件设计合理的温场结构,在系统实验优化晶体生长工艺的基础上,采用改进的坩埚下降生长方法(布里奇曼法)成功地生长出直径300 mm的CaF2晶体.CaF2晶体的透过率在0.15~8.3 μm波长范围内超过80%,最高透过率约为95%.

关键词: CaF2晶体 , 坩埚下降法 , 透过率

钼离子注入对纯锆耐蚀性的影响

彭德全 , 白新德 , 周庆刚 , 陈小文 , 余任泓 , 刘晓阳

稀有金属材料与工程

使用MEVVA源对纯锆表面注入1×1016 ions/cm2至5×1017ions/cm2剂量的钼离子,研究离子注入后其在水溶液中耐蚀性;注入时的最高温度为160℃,加速电压为40 kV.用X光电子谱(XPS)分析表面元素价态;3次极化扫描评价注入样品在0.5 mol/L硫酸水溶液中的耐蚀性,并对3次极化后的样品进行扫描电镜(SEM)观察.实验表明:随着钼离子注入剂量的增大,注入样品的耐蚀性反而下降.剂量越大,耐蚀性下降越多.注入样品的自然腐蚀电位与未注入纯锆相比发生了正移,总的趋势是随着剂量的加大,自然腐蚀电位越正.最后讨论了钼离子注入纯锆后耐蚀性下降的原因.

关键词: 纯锆 , 耐蚀性 , 钼离子注入 , 三电极动电位极化 , 极化曲线

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