颜怀跃
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修向前
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华雪梅
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刘战辉
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周安
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张荣
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谢自力
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韩平
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施毅
,
郑有炓
功能材料
在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AIN为缓冲层,使用氮化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15Km的c面GaN厚膜.并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质.分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现.AIN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长.
关键词:
氢化物气相外延
,
HVPE
,
Si
,
GaN
刘战辉
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张李骊
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李庆芳
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修向前
,
张荣
,
谢自力
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.23.012
利用氢化物气相外延技术在c 面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构 GaN 膜.采用高分辨 X 射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN 外延膜进行了结构表征和光学性质研究,重点探讨了光致发光谱的温度变化特性.样品(002)面和(102)面摇摆曲线半高宽分别为322和375 arcsec,表明生长的 GaN 膜具有较好的晶体质量.高分辨 X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱测试表明,外延膜中存在0．26 GPa 的面内压应力.变温光致发光谱研究发现 GaN 外延膜中 A 自由激子发射峰和施主束缚激子发射峰随温度变化服从能带收缩理论.但由于 A 自由激子单声子伴峰可能是一种与自由激子动能变化相关的自由激子-声子相互作用的复合机制,导致其峰位呈现先蓝移后红移变化,以及其积分强度出现先增加后降低的现象.
关键词:
氮化镓
,
氢化物气相外延
,
高分辨X射线衍射
,
拉曼光谱
,
变温光致发光谱
