文豪
,
刘志甫
,
杨群保
,
李永祥
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00074
采用电化学沉积法在阳极氧化制备的TiO2纳米管阵列管壁上沉积一层CeO2纳米颗粒, 再将CeO2修饰的透明TiO2纳米管阵列薄膜对电极与聚三甲基噻吩变色电极组装成透过型电致变色器件. 实验结果表明: CeO2修饰的TiO2纳米管阵列薄膜仍保持良好的光透过性, 其电荷存储能力比纯TiO2纳米管电极提高了30%. 经CeO2修饰的TiO2纳米管改善了器件的性能, 与对电极为单一TiO2纳米管阵列的器件相比, 其对比度仍保持在38%左右, 其褪色时间由1.3 s缩短为0.8 s. 电致变色器件快速响应得益于纳米管与纳米颗粒组成的复合结构的高比表面积和快速的电荷传输过程.
关键词:
氧化铈
,
TiO2
,
nanotube
,
electrochromic
,
counter electrode
徐晓伟
,
刘志甫
,
赵会友
,
李玉萍
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.02.018
研究了B4C、NH4Cl和Li3N在不同条件下的反应,分析了Li3N及H2、N2、NH3等气体在上述反应中的作用.结果表明,在N2气氛及1223K温度下,B4C与Li3N反应不生成hBN;B4C与NH4Cl反应只生成少量hBN;而B4C、NH4Cl、Li3N共同反应有大量hBN生成.说明在高温高压下合成cBN的常用催化剂Li3N,在常压高温下B4C与NH4Cl生成hBN的反应中也起催化作用.
关键词:
碳化硼
,
氯化铵
,
反应
,
氮化硼
文豪
,
刘志甫
,
杨群保
,
李永祥
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00074
采用电化学沉积法在阳极氧化制备的TiO2纳米管阵列管壁上沉积一层CeO2纳米颗粒,再将CeO2修饰的透明TiO2纳米管阵列薄膜对电极与聚三甲基噻吩变色电极组装成透过型电致变色器件.实验结果表明:CeO2修饰的TiO2纳米管阵列薄膜仍保持良好的光透过性,其电荷存储能力比纯TiO2纳米管电极提高了30％.经CeO2修饰的TiO2纳米管改善了器件的性能,与对电极为单一TiO2纳米管阵列的器件相比,其对比度仍保持在38％左右,其褪色时间由1.3 s缩短为0.8 s.电致变色器件快速响应得益于纳米管与纳米颗粒组成的复合结构的高比表面积和快速的电荷传输过程.
关键词:
氧化铈
,
氧化钛
,
纳米管阵列
,
电致变色
,
对电极
黄栋
,
吴颖
,
苗纪远
,
刘志甫
,
李永祥
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160280
(Nb,Al)共掺的BaTiO3陶瓷(BaTi0.98(Nb0.5Al0.5)0.02O3)表现出巨介电现象,介电常数可以达到3×105,介电损耗为0.2.在10-1～107 Hz范围内,观察到三种介电弛豫现象,并分别对其进行了分析.低频段(101～10 Hz)和中频段(103～105 Hz)属于非德拜弛豫,分别是由于Maxwell-Wagner电极界面极化和晶界层电容器效应引起的;相反,高频段(105～107 Hz)属于德拜弛豫,通过阿伦尼乌斯公式的拟合,得到其激活能E=15 meV和频率因子五=7×106 Hz.较小的激活能和频率因子表明其弛豫过程可能来源于复杂缺陷团簇中的电子的局域运动,被称为钉扎电子-缺陷偶极子效应.本研究显示钉扎电子-缺陷偶极子效应可以作为设计新型巨介电钙钛矿材料的依据.
关键词:
(Nb
,
Al)共掺
,
钙钛矿
,
巨介电常数
,
钉扎电子-缺陷偶极子
刘志甫
,
李永祥
,
殷庆瑞
功能材料
新发展起来的金属氧化物系电致发光材料具有化学稳定性高和光谱色纯度好,并易于得到三基色等诸多优点.系统总结了氧化镓、镓酸盐和硅酸盐等金属氧化物电致发光材料的最新研究成果,讨论了改善氧化物电致发光器件发光性能以及探索新型电致发光材料的途径.
关键词:
氧化物
,
电致发光
,
平板显示
刘志甫
,
徐晓伟
,
李玉萍
材料导报
介绍了立方氮化硼(cBN)低压合成的最新研究成果.阐述了cBN低压合成的可能性,分析了cBN低压合成中存在的困难及实现低压合成的途径.
关键词:
立方氮
,
化压力
,
合成
张志强
,
刘志甫
,
李永祥
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.12718
采用多层膜工艺制备了0.84(K0.48Na0.52)NbO3-0.16K0.56Li0.38NbO2.97无铅压电陶瓷,研究了不同烧结温度和保温时间对陶瓷的密度、物相、微观形貌以及介电和压电性能的影响.结果表明,所有烧结条件下得到的陶瓷都是钙钛矿结构和少量钨青铜结构的混合相,而且室温下陶瓷都处于多型相变区域.1050℃烧结8 min得到的陶瓷断面晶粒均匀,相对密度达到95％以上,并且获得最优的介电和压电性能:介电常数为εr=618,介电损耗为tanδ=0.03,压电常数为d33=112 pC/N.与传统制备工艺相比,多层膜工艺大大降低了烧结温度,缩短了烧结时间,有效地抑制了K、Na的挥发.
关键词:
铌酸钾钠
,
无铅压电陶瓷
,
多层膜工艺
,
多型相变
