姚振钰
,
贺洪波
,
柴春林
,
刘志凯
,
杨少延
,
张建辉
,
廖梅勇
,
范正修
,
秦复光
,
王占国
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.010
室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜.XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量.在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
Si衬底
刘力锋
,
陈诺夫
,
张富强
,
陈晨龙
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.030
利用质量分离的低能离子束技术,获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、 X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性.测试结果表明,在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态.非晶薄膜在400 ℃下退火20 min后晶化,没有Fe的硅化物相形成.退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低.
关键词:
低能离子束
,
硅
,
铁
,
薄膜
杨君玲
,
陈诺夫
,
刘志凯
,
杨少延
,
柴春林
,
廖梅勇
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.012
利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为 523K 时获得了 Ga5.2Mn 相,衬底温度为 673K 时获得了 Ga5.2Mn、Ga5Mn8 和 Mn3Ga 相.在 1113K 条件下对 673K 生长的样品进行退火,退火后样品中原有的 Mn3Ga 消失,Ga5Mn8 峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn 仍然存在而且结晶更好,并出现 Mn2As 新相.
关键词:
(Ga,Mn,As) 化合物 GaAs 单晶 质量分析的低能离子束
刘力锋
,
陈诺夫
,
张富强
,
陈晨龙
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.
关键词:
低能离子束
,
硅
,
铁磁性
,
磁性半导体
周剑平
,
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
,
张志成
,
陈诺夫
,
林兰英
功能材料
随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.
关键词:
高-k材料
,
蒸发法
,
CVD
,
IBD
宋书林
,
陈诺夫
,
周剑平
,
尹志岗
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.
关键词:
GaAs:Gd薄膜
,
低能离子束外延
,
GaAs衬底
宋书林
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
关键词:
半绝缘性砷化镓
,
磁性半导体
,
铁磁性转变温度
李庚伟
,
吴正龙
,
邵素珍
,
刘志凯
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.02.027
为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O):n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.
关键词:
ZnO/Si异质结构
,
氧离子束辅助PLD
,
X射线光电子能谱(XPS)
刘志凯
,
宋书林
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
柴春林
,
杨少延
功能材料
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.
关键词:
氮化镓
,
磁性半导体
,
铁磁性转变温度
