赵丽伟
,
刘彩池
,
滕晓云
,
朱军山
,
郝秋艳
,
孙世龙
,
王海云
,
徐岳生
,
胡家辉
,
冯玉春
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
徐岳生
,
杨新荣
,
郭华锋
,
唐蕾
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.026
通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系.高密度位错区位错形成胞状结构,该结构的胞壁区碳含量高,近胞壁区次之,剥光区碳含量低于检测限.
关键词:
SI-GaAs
,
位错
,
碳含量
,
能谱分析
陈晨
,
陈洪建
,
于海群
,
阎文博
,
刘彩池
,
王运满
,
程鹏
人工晶体学报
利用晶体生长模拟软件CGSim,模拟了引晶过程中晶体的直径对晶体生长初期晶体的热流密度和轴、径向温度梯度的影响.结果表明:随着引晶直径的减小,晶体肩部的热流密度减小,轴向及径向温度梯度减小,因而能有效的减小晶体内的热应力,减少晶体位错及小角度晶界缺陷,提高晶体质量,模拟结果得到了实验的验证.
关键词:
蓝宝石单晶
,
引晶直径
,
数值模拟
,
位错
,
小角度晶界
王海云
,
张春玲
,
唐蕾
,
刘彩池
,
申玉田
,
徐岳生
,
覃道志
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.027
砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、 GaAs多晶颗粒和小位错回线等.还分析了微缺陷的形成机制.
关键词:
SI-GaAs
,
微缺陷
,
小位错回线
,
沉淀成核中心
王宁
,
王奉友
,
张晓丹
,
王利果
,
郝秋艳
,
刘彩池
,
赵颖
人工晶体学报
因晶体硅是间接带隙半导体材料,其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收.为此,引入金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的ZnO薄膜,并通过改变掺杂流量和沉积时间调节ZnO∶ B(BZO)薄膜的光学和电学性能.将BZO薄膜用于硅异质结(SHJ)太阳电池的背反射电极,相比于传统结构,电池的反射率和外部量子效率在近红外波段得到显著改善.为进一步解释外量子效率增加的原因,在四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法制绒的硅衬底上沉积BZO薄膜,得到了新型微纳米嵌套结构,并对其光吸收进行了测试分析.
关键词:
ZnO∶B薄膜
,
金属有机化学气相沉积
,
外量子效率
,
异质结太阳电池
陈玉武
,
郝秋艳
,
刘彩池
,
赵建国
,
王立建
,
吴丹
材料热处理学报
采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响.结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃ RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍.另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大.
关键词:
铸造多晶硅
,
少子寿命
,
快速热处理(RTP)
,
缺陷
王丽华
,
郝秋艳
,
解新建
,
刘红艳
,
刘彩池
材料热处理学报
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明，原生大直径SI—GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定，真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时，EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。
关键词:
半绝缘砷化镓
,
热处理
,
EL2缺陷
,
微区红外测量技术
梁李敏
,
解新建
,
郝秋艳
,
田园
,
刘彩池
人工晶体学报
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理.用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化.实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化.在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的.800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关.
关键词:
GaN
,
辐照缺陷
,
黄光带
,
电子浓度
张红娣
,
郝秋艳
,
张建峰
,
张建强
,
李养贤
,
刘彩池
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.019
本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.
关键词:
重掺杂硅单晶
,
热处理
,
内吸除
乔治
,
解新建
,
刘辉
,
梁李敏
,
郝秋艳
,
刘彩池
人工晶体学报
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3％.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1％的电池.
关键词:
RF-PECVD
,
nc-Si∶H薄膜
,
硼掺杂
,
SHJ太阳能电池
