区铁
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刘建功
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张捷宇
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周文英
金属学报
在热力学和传输现象的基础上研究了RH-钢包系统中的定向环流. 结果表明, 真空度稳定时, Q∝H^1/3G^1/3D^4/3;真空度变化时, Q∝G^1/3D^4/3「ln(p1/p2)」^1/3.
关键词:
真空脱气
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null
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邰春艳
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殷小玮
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张立同
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成来飞
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刘建功
复合材料学报
通过多次重复先驱体浸渍裂解(PIP)工艺过程,改变材料的孔隙率和体密度,制备不同孔隙率的三维针刺碳/碳(C/C)复合材料,并研究了在8.2-12.4GHz频率范围内(x波段)不同孔隙率C/C复合材料的电磁屏蔽效能。结果表明:适当降低孔隙率有利于提高C/C复合材料的总电磁屏蔽效能和电磁吸收屏蔽效能,当开气孔率为33.4%时,C/C复合材料具有最大的电磁屏蔽效能(40dB),且电磁吸收屏蔽效能(30dB)远大于电磁反射屏蔽效能(12dB),是极具潜力的高吸收低反射电磁屏蔽材料。
关键词:
C/C复合材料
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PIP工艺
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孔隙率
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电磁屏蔽性能
刘建功
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殷小玮
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成来飞
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张立同
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王琴
复合材料学报
为了降低液硅渗透法制备C/C—SiC复合材料中残留Si的含量,采用浆料浸渗结合液硅渗透工艺制备B12(C,Si,B)3改性C/C—SiC复合材料。通过分析不同比例B4C—Si体系在不同温度的反应产物,确定了B12(C,Si,B)3的生成条件。结果表明:B4C和Si在1300℃开始反应,生成少量B12(C,Si,B)3和SiC,且B12(C,Si,B)3的生成量随反应温度的升高而增加;当B4C和Si的摩尔比为3:1、反应温度为1500℃时,产物为B12(C,Si,B)3和SiC液硅渗透法制备的C/C—SiC复合材料相组成为非晶态C、β-SiC和B12(C,Si,B)3,未见残留Si。
关键词:
复合材料
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C
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C—SiC
,
B12(C,Si,B)3
,
浆料浸渗
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液硅渗透