李敏
,
沈斌
,
朱相任
,
金日光
,
杨儒
,
李友芬
,
刘家祥
稀有金属材料与工程
采用高温固相法合成红色荧光材料CaWO4:Pr3+,对样品的表面形貌、晶体结构、激发光谱和发射光谱进行了表征.结果表明制得的caWO4属四方晶系,141/a(No.88,C64h)空间群.CaWO4体系中加入H3803助熔剂,生成的晶体粒径较大,结晶更加完善,粒径大小约为20～40μm当Pr++浓度为1.4～%2.05时,样品在603、617和648 nm处的发光强度最强,随着P+3浓度的增加CawO4自发光强度被逐渐削弱.
关键词:
稀土
,
发光
,
激活剂
,
钨酸钙
李亚静
,
刘家祥
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.015
对400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000 ℃温度下煅烧制得的氧化铟锡(ITO)粉体进行X射线衍射分析, 利用Vegard定律分析得到的衍射数据计算出靶材的晶格常数和氧化锡在ITO靶材中的固溶度, 得出ITO靶材中氧化锡的固溶度大小主要与温度有关, 氧化锡相在靶材中的固溶度随着温度的升高而增大的结论.靶材热压烧结降温时, 保持120～150 ℃·h-1的降温速率可以得到纯度为99.995%, 相对密度为99.274%的氧化铟单相ITO靶材.
关键词:
ITO靶材
,
降温速率
,
固溶度
,
相组成
郭玉宝
,
杨儒
,
李敏
,
刘家祥
,
李友芬
材料导报
先进的理论和计算技术结合计算机的威力,提供了在原子层次上了解纳米材料及其演化过程细节的可能性,具有无先例的准确性,使纳米材料设计和性能预测成为可能.本文首先概述了计算机模拟的理论方法和作用,扼要地综述了计算机模拟在纳米材料的微观结构、力学、热学、电磁学等性能的研究进展,最后阐述了纳米材料结构和性能的计算机模拟研究所面临的问题.
关键词:
纳米材料
,
结构
,
性能
,
计算机模拟
刘家祥
,
李敏
,
甘勇
,
王海宁
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法制备纳米级氧化铟锡复合粉体前驱物,煅烧得到纳米级氧化铟锡(ITO)复合粉体,用TG-DTA,XRD,TEM,ICP-AES,XRF和BET研究了纳米级ITO复合粉体的性能.前驱物铟锡氢氧化物的分解温度为291.5℃,300℃下烧结即可得到立方结构的ITO结晶粉体,Sn嵌入到In2O3晶格中,形成单相的ITO固溶体颗粒.随着温度的升高,ITO固溶体颗粒结晶更完全,晶粒长大.前驱物铟锡氢氧化物分别在600℃,800℃和900℃煅烧4 h得到粒度均匀、分散性好、粒径为20 nm～30 nm的类球形ITO复合粉体.600℃煅烧得到的ITO复合粉体的纯度为99.995%,配比为In2O3:90.045%,SnO2:9.955%,比表面积为50.88 m2/g.该粉体烧结活性高,将该粉体用简单的烧结工艺在1000℃烧制的ITO靶材相对理论密度达到99.25%.
关键词:
纳米粉体
,
氧化铟锡
,
制备技术
,
性能
张宇
,
刘家祥
材料导报
对颗拉在液体介质和空气介质中的分散过程进行了综述,概述了增强微细颗粒分散的手段在于合适的分散剂和高效的分散机械,并叙述了几种评价分散效果的方法,指出了颗粒分散研究存在的问题和发展方向.
关键词:
微细颗粒
,
化学分散
,
物理分散
,
分散剂
程念
,
刘家祥
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法制备ITO粉体前驱物,在600℃煅烧粉体前驱物4h,得到粒径为20～30 nm的ITO粉体.添加1％的聚乙烯醇(PVA)造粒,模压成型制备ITO靶材素坯,设置不同的升温速率,在1550℃氧气氛下烧结素坯,得到ITO靶材.研究了烧结过程升温速率对ITO靶材密度和微观组织的影响.结果表明,在低温阶段(0～500℃)升温速率为3℃/min,高温阶段(500～1550℃)升温速率为8℃/min时,ITO靶材相对密度为99.58％,孔洞极少,近乎完全致密,且靶材宏观上无裂纹.
关键词:
ITO靶材
,
升温速率
,
烧结法
,
相对密度
,
微观结构
曾胜男
,
刘家祥
,
张楠
稀有金属材料与工程
以金属铟和结晶四氯化锡为原料,采用溶胶-凝胶工艺,用浸渍提拉法在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜.采用XRD,AFM,四探针电阻率仪,紫外分光光度计对薄膜的晶型结构,表面形貌,方电阻和透光率进行了测定和分析,研究了热处理温度和提拉层数对薄膜光电性能的影响.结果表明:随着热处理温度的升高,薄膜的方电阻显著降低,透光率也不断增大,但是当后处理温度大于750℃时,透光率略有降低,方电阻仍然降低.
关键词:
ITO前驱物浆料
,
溶胶-凝胶法
,
微观组织结构
,
光电性能
张楠
,
刘家祥
,
曾胜男
稀有金属材料与工程
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜.研究了不同Sn掺杂量5%～20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响.用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析.结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153 Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%.基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制.结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子.通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65 eV.
关键词:
ITO薄膜
,
胶体法
,
掺杂
,
导电机制
,
光学能隙
刘家祥
,
甘勇
,
朴圣洁
稀有金属材料与工程
以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜.用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能.结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2 nm～15 nm,具有较好的分散性和稳定性;ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360 nm～800 nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300 nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到258Ω/□,其透过率在波长550 nm处达到89.6%,且薄膜表面平整.
关键词:
胶体法
,
ITO
,
薄膜
,
微结构
