刘广庆
,
张帅
,
刘孟寅
,
李德军
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.10.013
利用射频磁控溅射方法(衬底温度20℃)制备TaN,ReB2单层膜及ReB2/TaN纳米多层膜,并通过XRD,SEM,XP-2表面轮廓仪及纳米力学测试系统对薄膜的微结构和力学性能进行表征,分析调制周期对其影响.结果表明:TaN和ReB2均具有典型的六方结构,在其构成的多层膜中,当调制周期达到8～12nm附近时,纳米多层膜的硬度和弹性模量均高于两种材料所构成单层膜的相应值.在A=9.6nm,多层膜达到最高硬度(28.8GPa)及弹性模量(345.9GPa),同时内应力取得较好结果.
关键词:
射频磁控溅射
,
ReB2/TaN纳米多层膜
,
调制周期
,
硬度
陈磊
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冯德强
,
刘孟寅
,
王卫超
人工晶体学报
对平衡态及光照下非平衡态的n-Si/n-Fe2O3/electrolyte的能带结构进行了分析,同时结合转移矩阵法定量地计算Si中不同能量的电子/空穴穿过n-Si/n-Fe2O3势垒并满足水氧化还原电势要求的透射系数,从而得出光照与Fe2O3厚度对Si中电子/空穴透射能量的影响.结果表明:Fe2O3层厚度(1～10 nm)与光电压的增大,均可以使Si中电子满足水还原反应电势要求所需的最小能量减小,同时使Si中空穴满足水氧化反应电势要求所需的最小能量增大.通过选择合适的Fe2O3厚度(～7 nm),可以使Si中的光生电子和光生空穴同时以较小的能量传输到电解液中并满足水氧化和水还原反应的电势要求.
关键词:
光催化
,
转移矩阵法
,
透射系数
,
n-Si/n-Fe2O3异质结
,
水氧化还原反应
