马艳
,
杜国同
,
杨树人
,
李正庭
,
李万成
,
杨天鹏
,
张源涛
,
赵佰军
,
杨小天
,
刘大力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.005
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.
关键词:
ZnO薄膜
,
MOCVD
,
PL谱
刘博阳
,
杜国同
,
杨小天
,
赵佰军
,
张源涛
,
高锦岳
,
刘大力
,
杨树人
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.005
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法.并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜.使用X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究. X射线衍射谱图显示仅在2θ=34.72 °处有一个很陡峭的ZnO (002) 晶面衍射峰,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致.此衍射峰的半高宽为0.282 °,显示出较好的晶体质量.在室温光致发光谱中, 薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过10∶1,表明薄膜的光学质量较高.
关键词:
氧化锌
,
金属有机化学气相沉积
,
薄膜
,
生长
刘大力
,
冯泉林
,
周旗钢
,
何自强
,
常麟
,
闫志瑞
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.021
研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带；较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失.利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体的生长结果,结合其c；-cv分布图,分析出这种环状分布的颗粒缺陷是由于晶体中间隙原子富集区产生的微缺陷,在外延过程中( 1050℃)聚集长大,从而在界面处造成晶格畸变引起的.随着衬底拉速的降低,间隙原子富集区的面积增大,硅片外延后越容易出现环状分布的颗粒缺陷.因此在单晶拉制过程中,为了避免这种环状缺陷的产生,应适当提高晶体的拉速.
关键词:
颗粒缺陷
,
外延
,
SP1
,
拉速
黄栋栋
,
曲翔
,
刘大力
,
周旗钢
,
刘斌
,
刘红艳
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15051401
硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用.通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响.结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立.多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用.最佳多晶硅沉积厚度为800 nm.
关键词:
重掺硅片
,
多晶硅吸杂
,
择优腐蚀
,
氧沉淀
