何杰
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孙清池
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刘培祥
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李红元
稀有金属材料与工程
探讨了烧结温度对SiO2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能的影响.通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+0.1%(SiO2)(质量分数)陶瓷的相组成和显微结构.结果表明:合成温度900℃时,可以得到钙钛矿结构.对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷,可以在1100～1150℃时烧结实现致密化,并且介电压电性能较好,当烧结温度为1100℃时综合性能最佳,E33T/ε0=1290,tanδ=0.45%,d33=264 pC/N,Kp=0.59,Qm=2400.
关键词:
压电陶瓷
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锑锰锆钛酸铅
,
SiO2
,
低温烧结
刘培祥
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孙清池
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何杰
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李红元
稀有金属材料与工程
选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方,采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料.研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响,研究结果表明:在1180℃烧结时,晶粒生长很好,晶界处结合致密,压电性能也最好:d33=475pC/N,ε33T/ε0=3203, Qm=82,Kp=0.59,tanδ=1.8%.
关键词:
压电陶瓷
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四元系
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准同型相界
,
微观结构
