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镍钴合金镀层对陶瓷封装外壳抗高温变色能力的影响

路聪阁 , 刘圣迁

电镀与涂饰

通过镀金层的表面形貌观察和成分测定,分析了陶瓷封装外壳镀金层在350℃空气气氛下高温试验2h后变色的原因.研究了分别以Ni镀层、Ni-Co合金和Ni/Ni-Co复合镀层作底层时陶瓷封装外壳的抗高温变色能力.结果表明,陶瓷封装外壳变色是由底层镍扩散到镀金层表面形成氧化镍所致.以Ni-Co合金和Ni/Ni-Co复合镀层作底层可有效阻止镍的扩散,从而提高陶瓷封装外壳的抗高温变色能力.

关键词: 陶瓷封装 , 变色 , 高温 , 金层 , 镍钴合金

电子封装镀层锈蚀原因分析

张志谦 , 刘圣迁

电镀与涂饰

介绍了一次电子封装外壳镀层出现锈蚀故障的处理过程.该外壳基材为4J42铁绦合金,其上镀镍再镀金,短期搁置后发现锈蚀.通过锈蚀过程和机理的分析,并经过试验验证,确定了锈蚀的原因是:包装用塑料膜受到氯化物的污染,导致镍镀层和铁镍合金基材在贮存过程中发生腐蚀.在此基础上,制定了相应的质量控制措施.

关键词: 集成电路封装 , 盖板 , 铁镍合金 , 镀镍 , 镀金 , 锈蚀 , 质量控制

微电子封装外壳电镀前处理述评

张志谦 , 刘圣迁

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2009.09.006

讨论了微电子封装外壳电镀前处理不良引起的镀层质量问题,特别对封装外壳污染物的种类以及污染程度的影响提出了相应的前处理措施.为了弥补常规前处理方法的不足、对目前普遍使用的非常规处理方法及其应用情况作了简要的评述.

关键词: 微电子封装外壳 , 镀前处理 , 非常规处理 , 镀层质量

微电子封装化学镀镍工艺研究及应用

刘圣迁 , 刘晓敏 , 张志谦 , 刘巧明 , 夏传义

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.01.012

在微细图形上实施化学镀有一定的技术难度,尤其是在批量生产中.通过研究工艺条件对镀层的影响,探索出微电子封装化学镀镍的工艺参数的适宜范围分别为:23~27g/L的镍盐、4~6g/L的还原剂、pH值4.5左右、温度(90±2)℃.经试验筛选出合适的镀液稳定剂Tl2+,使批量生产的封装微细图形不"糊片",无镍粒.用X射线荧光测厚仪及化学分析方法对生产过程中的镀液成分进行测定,确定了维护镀液所用的补充液的组分,从而延长了镀液的使用寿命,满足了微电子封装批量生产的要求.

关键词: 微电子封装 , 化学镀镍 , 稳定剂 , 补充液

掺碳球形Ni(OH)2的特性

刘建华 , 王丹 , 刘圣迁 , 宋世栋 , 唐致远

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2003.06.010

采用氨络合液相共沉淀法,同时加入电子导电剂(石墨粉或乙炔黑细粉),制备出了掺碳球形Ni(OH)2,对其进行了XRD测试和SEM观察. 结果证实电子导电剂被嵌入到球形Ni(OH)2颗粒中. 将掺碳球形Ni(OH)2制备成电极后,对其进行了充放电实验. 结果表明,未添加导电剂时,0.2C放电容量为270 mA*h/g,中点电位为302 mV,2C放电容量为220 mA*h/g. 添加质量分数为5%石墨后,0.2C放电容量为253 mA*h/g,中点电位为320 mV,2C放电容量为216 mA*h/g;添加质量分数为5%乙炔黑后,0.2C放电容量为258 mA*h/g,中点电位为324 mV,2C放电容量为222 mA*h/g. 随电子导电剂加入量增多,则镍电极的放电容量有所减少,放电中点电位提高,同时使其高倍率下的放电能力加强.

关键词: 球形Ni(OH)2,电子导电剂,充放电特性

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