刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
,
朱剑豪
功能材料
采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜表征材料的微结构,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射/沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能.一系列的测试结果表明对于在5mA/cm2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅.
关键词:
多孔硅
,
超高真空电子束蒸发
,
外延
,
单晶硅
詹达
,
马小波
,
刘卫丽
,
朱鸣
,
宋志棠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.003
研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落.利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析.研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的晶体质量,锗和二氧化硅埋层界面陡直.
关键词:
GOI
,
smart-cut
,
键合
刘旭焱
,
宋三年
,
刘卫丽
,
宋志棠
功能材料与器件学报
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验.在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列.经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级.不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决.
关键词:
三维集成电路
,
相变存储器
,
等离子活化键合
,
智能剥离
王石冶
,
刘卫丽
,
张苗
,
林成鲁
,
宋志棠
功能材料
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
关键词:
SOI
,
高压器
,
击穿电压
雷博
,
刘卫丽
硅酸盐通报
本文通过液晶模板法制备核壳型多孔二氧化硅,分析了多孔氧化硅在纳米颗粒表面的包覆特性.探究了表面活性剂与硅源的摩尔比(CTAB/TEOS)对多孔氧化硅壳层生长的影响,从实验上证实了多孔氧化硅壳层生长的最适摩尔浓度比随纳米颗粒尺寸的变化,并从表面活性剂与硅酸盐物种间的协同作用机制出发对此进行了阐释.利用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),N2吸附脱附等分析方法,观察并分析了核壳多孔二氧化硅的形貌以及孔道结构.通过傅里叶变换红外光谱分析(FTIR),分析了多孔氧化硅的结构和组分.
关键词:
多孔氧化硅
,
核壳结构
,
纳米颗粒包覆
,
液晶模板法
汪海波
,
俞沁聪
,
刘卫丽
,
宋志棠
,
张楷亮
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.002
系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高.研究分析认为:pH值因影响在蓝宝石表面形成的水化层从而影响抛光速率和粗糙度;与抛光压力和相对转速相关的Hersey系数对抛光效果影响很大,当Hersey系数为24时,蓝宝石的抛光速率和表面平整度均达到最佳.
关键词:
蓝宝石
,
化学机械抛光(CMP)
,
二氧化硅
,
pH值
,
Heresy系数
刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.006
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 , 上层硅与氧化硅埋层界面陡直 . 对制备多孔硅的衬底材料也作了研究 , 结果表明 P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能 , 用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅 , 并且 , 在一定浓度的 HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率 , 保证了上层硅厚度的均匀性 .
关键词:
绝缘体上的硅
,
多孔硅
,
外延
张磊
,
汪海波
,
张泽芳
,
王良咏
,
刘卫丽
,
宋志棠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.017
磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素.采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜( SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征.结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑.随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜( AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度.经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min.硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min.
关键词:
PS/SiO2
,
复合磨料
,
铜
,
化学机械抛光
张磊
,
刘卫丽
,
宋志棠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.006
在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅.加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小.通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有11nm的氧化硅颗粒.而且,在相同的反应体系中,所制备的氧化硅颗粒能够作为晶种再次生长,通过滴加不同浓度的TEOS能够得到粒径大小可控的氧化硅颗粒.
关键词:
单分散
,
超小粒径
,
氧化硅
,
PVP
,
TEOS
