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ITER Nb3Sn及NbTi超导线扭距测量方法比较与分析

刘方 , 龙风 , 高慧贤 , 陈超 , 刘勃 , 武玉 , 刘华军

稀有金属材料与工程

国际热核聚变反应堆ITER磁体采用的Nb3Sn及NbTi超导线为多丝扭绞结构.作为超导线设计和应用的重要参数,股线扭距及扭转方向必需满足ITER要求,并且该性能参数须进行复验.根据ITER PA要求,股线的扭距大小为15mm±2mm,扭转方向为右向.超导线扭距及扭转方向测试可以通过在一小段直的样品上判断其超导丝分布规律或者其超导丝的角度得到.这里描述和比较了多种不同的测试方法.对不同方法的测试精度,不确定度以及可行度进行了分析,同时提出了针对ITER超导股线扭距复验的推荐方法.

关键词: 超导线 , 扭距 , 扭转方向 , 超导丝

Cd掺杂量对Zn1-xCdxO合金带隙的影响

赵超 , 王发展 , 雷哲锋 , 张顾钟 , 刘勃

材料导报

回顾了国内外Zn<,1-x>Cd<,x>O合金带隙研究的发展历程,总结和归纳了近10年来关于Zn<,1-x>Cd<,x>O合金中CA原子分数x与E<,g>(eV)关系的数据及理论等研究成果.在此基础上,以近10年来文献中的试验数据作为分析样本,考虑多种情况对其进行回归拟合,并对不同拟合方法及Cd含量时E<,g>的影响进行了深入的分析讨论.建立了Cd含量x与E<,g>的经验关系式(x-E<,g>关系式).与试验值相比,使用新x-E<,g>关系式预测得到的E<,g>值与其符合得较好,表明所建立的关系式能比较准确地反映Zn<,1-x>Cd<,x>O合金中Cd含量x与E<,g>之间的关系.

关键词: Zn1-xCdxO合金 , 带隙 , 回归拟合 , 掺杂 , 定量关系

Cd掺杂量对Zn1-xCdxO合金带隙的影响

赵超 , 王发展 , 雷哲锋 , 张顾钟 , 刘勃

材料导报

回顾了国内外Zn1-xCdxO合金带隙研究的发展历程,总结和归纳了近10年来关于Zn1-xCdxO合金中Cd原子分数x与Eg(eV)关系的数据及理论等研究成果.在此基础上,以近10年来文献中的试验数据作为分析样本,考虑多种情况对其进行回归拟合,并对不同拟合方法及Cd含量对Eg的影响进行了深入的分析讨论,建立了Cd含量x与Eg的经验关系式(x-Eg关系式).与试验值相比,使用新xEg关系式预测得到的Eg值与其符合得较好,表明所建立的关系式能比较准确地反映Zn1-x CdxO合金中Cd含量x与Eg之间的关系.

关键词: Zn1-xCdxO合金 , 带隙 , 回归拟合 , 掺杂 , 定量关系

Nb3Sn超导线弯曲应变对临界电流影响研究

刘方 , 刘勃 , 刘华军 , 陈超

低温物理学报

Nb3Sn超导线现为大型工程科研项目如国际热核聚变反应堆(ITER),强磁场项目等磁体的基本材料之一.由于A15相的脆性,受力作用下Nb3Sn超导体超导性能会发生严重退化.在ITER用管内电缆导体(CICC)中,股线受到电磁力作用时会产生弯曲应变.为研究弯曲应变对超导线的临界电流影响,我们对ITER标准临界电流测试骨架中间部位开槽,使股线在通电过程中产生循环的弯曲应变,并测试得到其临界电流.结合Nb3Sn超导线偏应变临界电流定标律,分析在两种极限假设情况(低丝间电阻和高丝间电阻)下超导线弯曲应变对临界电流的影响,并与骨架开槽实验结果进行比较.

关键词: 弯曲 , 应变 , 临界电流 , Nb3Sn

NbTi、Nb3Sn超导线拉伸性能研究

戴超 , 刘勃 , 秦经刚 , 武玉 , 李山峰

低温物理学报

超导线材的力学特性是决定超导线使用性能的主要因素之一.超导电缆绞制过程中的张力、扭矩,和电缆载流时产生的电磁力都会使超导线发生各种应变,从而对其临界性能造成影响.因此研究单根超导线的力学性能对分析预测超导电缆的临界性能有重要参考意义.本文主要对以Nb系低温超导材料为基础的NbTi、NbSn超导线在不同温区进行了拉伸实验,测得不同种类、不同状态的超导线在不同温度下的杨氏模量和抗拉强度.并对部分实验结果进行了对比分析和数值拟合.

关键词: NbTi , Nb3Sn , 力学性能 , 数值拟合

热蒸发法制备Zn1-xCdxO纳米管及其生长机制研究

刘勃 , 王发展 , 张顾钟 , 赵超 , 原思聪

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00998

采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉, 在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管, 其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明, 大部分纳米管外径约80~150nm, 长度达数微米, 壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现, 由于Cd的掺入, Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制, 并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程, 同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.

关键词: Zn1-xCdxO , nanotube , fabrication , growth process

热蒸发法制备Zn1-x Cdx O纳米管及其生长机制研究

刘勃 , 王发展 , 张顾钟 , 赵超 , 原思聪

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00998

采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉,在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管,其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,大部分纳米管外径约80~150nm,长度达数微米,壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现,由于Cd的掺入,Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制,并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程,同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.

关键词: Zn1-xCdxO , 纳米管 , 制备 , 生长过程

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