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Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

杨炬 , 桑文斌 , 钱永彪 , 史伟民 , 王林军 , 刘冬华 , 闵嘉华 , 李志峰 , 苏宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.004

本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1~2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4%左右,红外透过率大于60%,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.

关键词: CdZnTe晶体 , 布里奇曼法 , CdZnTe熔体平衡分压 , γ探测器

声光晶体TeO2的生长及缺陷研究

季小红 , 桑文斌 , 刘冬华 , 李冬梅 , 钱永彪 , 史伟民 , 闵嘉华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.01.016

本文研究了直拉TeO2晶体中的主要晶体缺陷形成机理,讨论分析了TeO2单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明:晶体裂缝主要与温度梯度有关,温度梯度大于20~25℃/cm及出现界面翻转时,易造成晶体的开裂,位错密度增加;晶体中的包裹体主要为气态包裹体,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关,转速15~18r/min,拉速0.55mm/h,固液界面微凹,可以减少晶体中的气态包裹体;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起,当台阶间距较宽时,易形成包裹体。

关键词: 声光晶体 , TeO2晶体 , 晶体缺陷 , 工艺参数

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