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纳米FinFET器件的单粒子效应研究

刘保军 , 蔡理 , 董治光 , 徐国强

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.516

FinFET器件比主流CMOS技术表现出更多优势，如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性，基于ISE TCAD，考虑迁移率、量子效应、载流子重组、辐射效应等的影响，建立了一种纳米FinFET器件SEE的3D仿真模型。分析了工艺掺杂浓度、栅压、粒子能量、寄生电容及技术节点等对单粒子瞬态电流的影响，并探讨了其影响机制。基于此分析，找到了一些潜在的工艺加固技术，如降低源极掺杂浓度、增加漏极和衬底的掺杂浓度、减少粒子能量、降低栅压、优化寄生电容等。

关键词: FinFET , 单粒子效应 , 仿真 , 加固技术

简单分段线性混沌系统与SETMOS混沌系统的自适应广义同步

刘保军 , 蔡理 , 冯朝文

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.01.013

研究了基于SETMOS构成的、参数未知的类双涡卷混沌系统与结构不同的简单分段线性混沌系统的广义自适应同步方法.通过分析混沌系统的特点和广义同步的定义,基于李雅普诺夫稳定性理论,提出了一种新颖的、结构简单的自适应控制器和参数更新律,来实现不同结构、驱动系统参数未知的混沌系统的广义同步.这种方法还可以应用于不同结构或相同结构的其他同步问题,如自适应广义反同步等,应用范围较广.仿真结果进一步证实了该方法的有效性和可行性.

关键词: 非线性光学 , 自适应广义同步 , 数值仿真 , SETMOS , 参数未知

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