管有祥
,
徐光
,
王应进
,
吴晓峰
,
刘霞
,
朱利亚
,
刘云杰
,
马媛
,
安中庆
,
甘建壮
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.02.014
建立了用金作保护剂,铅试金一步富集汽车尾气净化催化剂中铂钯铑的方法.研究了金保护剂的条件,对比了不同方法的富集效果.结果表明:加入20～ 40 mg金作保护剂,试金配料硅酸度为1.0,进炉温度900℃,1130℃恒温10 min,熔炼时间50 ～ 60 min,灰吹温度910℃,可完全富集500μg铂钯铑.方法富集效果好,操作简便,适用于汽车尾气净化催化剂、熔炼渣以及日常样品中0.x～ xxxx g/t铂钯铑的分析.
关键词:
分析化学
,
火试金
,
催化剂
,
金保护剂
,
铂钯铑
朱利亚
,
赵忆宁
,
赵辉
,
杨光宇
,
黄章杰
,
陈云江
,
朱武勋
,
刘云杰
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2007.12.003
提出了微波密闭快速消解难分解的KAu(CN)2,KAu(CN)4,Pt(NH3)2(NO2)2,K2[Pt(NO2)4],Pt(NH3)2Cl2,Pt(NH3)4Cl2,(NH4)2PtCl6,K2PtCl4,Pt(C5H7O2)2等化合物的方法.比较了微波密闭消解法与传统分解法的条件;采用精密电化学滴定法分析了Au和Pt的含量,并与传统分析方法BS5658法(H2SO4发烟重量法)、火试金法和湿法重量法进行了结果对照.结果表明:以HCl-H2O2,HCl-HNO3分别为Au和Pt类化合物的消解试剂,于优化的消解条件下,Au和Pt的溶出率达100%;Au,Pt化合物对应消解时间分别为传统法的1/192～1/40和1/72～1/8,总分析流程均大大缩短;测得Au和Pt的含量与传统方法相吻合,相对标准偏差分别为0.01%～0.02%和0.05%～0.07%.
关键词:
微波消解
,
难分解贵金属化合物
,
分析
,
金
,
铂
李祖碧
,
李崇宁
,
徐其亨
,
刘云杰
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.1999.03.002
研究了催化动力学光度法测定痕量铑.在氯化钠存在的磷酸溶液中及加热条件下,铑(Ⅲ)对高碘酸钾氧化耐尔蓝褪色的反应具有催化作用.该催与化反应对耐尔蓝或铑(Ⅲ)均为一级反应,表观活化能为61.0kJ/mol;log(Ao/A)其相对标准偏铑(Ⅲ)浓度呈线性的范围为0～6.0μg/25mL,检出限为3.80×10-10g/mL.本法用于实际样品中铑的测定,差为2.4%～7.2%,标准加入回收率为98.2%～101.2%.
关键词:
铑(Ⅲ)
,
耐尔蓝
,
催化动力学光度法
郝兰众
,
李燕
,
邓宏
,
刘云杰
,
姬洪
材料导报
通过研究发现,利用激光分子束外延技术生长的LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜具有良好的电学性能,其剩余极化可达到25μc/cm2.性能决定于结构,因此本文分析研究了LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜的界面结构.首先通过高能电子衍射技术在薄膜生长过程中对各层的生长及界面状况进行观测,再通过小角X射线衍射曲线及其计算机拟合曲线进一步确定超晶格薄膜的界面及结构参数,如界面的粗糙度、单层厚度等.通过研究发现,由于晶格之间的差异,LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜中LaAlO3和BaTiO3层的生长过程及微结构存在着一定的差异.
关键词:
超晶格薄膜
,
LaAlO3/BaTiO3
,
高能电子衍射
,
小角X射线衍射
,
激光分子束外延技术
郝兰众
,
李燕
,
刘云杰
,
邓宏
功能材料
介质铁电超晶格薄膜是一类新型的薄膜材料,已逐渐开始受到重视,成为研究的热点.本文主要分析了铁电超晶格薄膜的结构特点、组分材料、介电铁电性能;介绍了其在实际中的应用以及在近几年的发展;概括了几种常用的介质铁电超晶格薄膜的生长技术及其影响因素;最后对铁电超晶格薄膜的发展和应用前景进行了展望.
关键词:
铁电超晶格
,
y薄膜
,
分子束外延
刘云杰
,
郝兰众
,
李燕
,
邓宏
材料导报
X射线衍射技术分析发现,通过生长一层较厚的LaAlO3顶层结构,可以把LaAlO3-BaTiO3超晶格中界面处的应变有效地控制在薄膜中,从而增加超晶格薄膜的平均面外晶格常数c.电学性能测试证明LaAlO3顶层结构的存在极大地改善了超晶格薄膜的电学性能,使其剩余极化强度增加了40多倍.
关键词:
超晶格
,
应变
,
X射线衍射
,
剩余极化强度
郝兰众
,
李燕
,
邓宏
,
刘云杰
,
姬洪
,
张鹰
功能材料
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜.在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析.通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小.超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同.
关键词:
LaAlO3/BaTiO3
,
超晶格薄膜
,
RHEED
,
临界厚度
卢小鹏
,
李辉
,
刘云杰
,
梁平
,
李坤
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142901.0146
针对传统的Chan-Vese模型(C-V模型)分割背景不均匀的TFT-LCD Mura缺陷速度慢的问题,将水平集函数与符号距离函数的偏差作为能量项引入C-V模型,去掉了符号距离函数重初始化步骤;为了平衡图像的整体亮度不均匀,在传统的C-V模型中引入轮廓曲线内、外部区域之间的亮度差项,提高了分割准确性.在数值实现上,采用无条件稳定的半隐差分格式,适当加大步长,加速曲线演化过程,相比于有限差分格式和AOS格式,分割速度明显提高.实验结果表明,本文提出的算法能够准确地分割背景不均匀的Mura缺陷图像,并且分割速度快.
关键词:
Chan-Vese模型
,
TFT-LCD Mura缺陷
,
水平集
,
半隐差分格式
