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蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

牛南辉 , 王怀兵 , 刘建平 , 刘乃鑫 , 邢艳辉 , 李彤 , 张念国 , 韩军 , 邓军 , 沈光地

功能材料

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.

关键词: 氮化镓 , 蓝宝石衬底 , 斜切角度 , DCXRD , MOCVD

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