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四极磁场下大尺寸直拉硅单晶生长三维数值模拟

张晶 , 刘丁 , 赵跃 , 惠一龙 , 姜雷

材料热处理学报

在大尺寸直拉硅单晶生长过程中,针对水平磁场单方向磁力线分布引起的熔体温度分布非轴对称特征,提出了一种双磁力线结构的磁场——四极磁场.为准确描述非轴对称磁场作用下晶体生长过程,采用三维数值模拟方法,建立了四极磁场下二维/三维混合热场模型的边界条件,并将三维数值模拟结果与水平磁场作以对比.结果表明,四极磁场降低了熔体内部温度的非轴对称性;增加磁感应强度有利于增加熔体自由表面附近温度分布的均匀性,但对固液界面形状调节作用不明显;强磁场环境下,提高晶体旋转速度有利于改变固液界面凹凸程度,改善固液界面形态的非轴对称性.

关键词: 直拉硅单晶 , 非轴对称性 , 四极磁场 , 数值模拟

基于数值模拟的CZSi单晶收尾控制参数研究

赵跃 , 刘丁 , 陈德伟 , 王蕾

人工晶体学报

采用理论分析和有限元数值模拟相结合的方法研究了晶体收尾过程中的温度分布与热量传递.解释了"倒草帽"形收尾(收尾前段晶体直径猛然收缩)的成因,指出了改进收尾形状的方法,研究结果对于合理设定直拉硅单晶收尾工艺参数具有一定的参考意义.通过对比试验,仿真计算结果与单晶炉实验测试结果相吻合.

关键词: 直拉硅单晶 , 收尾 , 热场 , 有限元数值模拟

多对流耦合环境下Cz-Si固液界面形态的仿真方法及控制参数研究

姜雷 , 刘丁 , 赵跃 , 刘志尚

人工晶体学报

固液界面形态是各种晶体生长研究的关键,固液界面形态问题是—个移动边界问题.然而在Cz-Si系统中,移动边界问题又与对流耦合,尤其是与晶体旋转所引起的强迫对流直接耦合,构成了含有第三方耦合因素的移动边界问题.本文提出一种基于FVM的迭代法解决此问题,对多流耦合环境下的固液界面形态进行了仿真和研究,分析了晶体旋转对界面形态的影响.最终将仿真结果与采用快速提离法在实践中获得的界面形态进行对比,取得了一致性.

关键词: 直拉硅单晶 , 固液界面形态 , 迭代法 , 移动边界

水平磁场作用下φ300mm直拉单晶硅生长三维数值模拟

姜雷 , 刘丁 , 赵跃 , 焦尚彬

材料热处理学报

设计一种二维轴对称和三维混合的数值计算模型,对水平磁场作用下的直拉硅单晶生长进行了研究.结果表明,由于水平磁场的非轴对称性,只有在三维模型中才能获得确切的温度、速度分布.温度场、熔体中的流函数和固液界面形状在水平磁场的作用下也具有非轴对称性,这种非轴对称性随磁场强度的变化而改变.提高晶体旋转速度有利于减小固液界面形状的非轴对称性,并会改变界面形状的凹凸程度;提高坩埚旋转速度则有利于提高熔体中温度分布的均匀性,但会扩大熔体中的径向温度梯度.

关键词: 直拉硅单晶 , 水平磁场 , 数值模拟 , 非轴对称性

直拉硅单晶放肩过程的有限元数值模拟与控制参数研究

张晶 , 刘丁 , 赵跃 , 焦尚彬

人工晶体学报

放肩是直拉法生长硅单晶保持无位错生长的过程,是晶体能够顺利进入等径生长的关键.生产实践中发现,在放肩前段经常出现液流线切人晶体随之变晶的现象.本文提出了放肩前期的变晶转拉晶工艺,采用有限元数值模拟的方法计算出熔体热对流及温度分布,给出了固液界面附近熔体中的流速变化规律,解释了液流线的成因,通过仿真结果和拉晶实验结果表明该方法的有效性.

关键词: 直拉硅单晶 , 放肩 , 晶转 , 有限元数值模拟

大尺寸单晶炉勾形磁场的优化设计

焦尚彬 , 刘丁 , 任宁

人工晶体学报

本文在分析cusp磁场抑制对流原理的基础上,采用有限元法对大尺寸单晶炉cusp磁场进行了建模.利用模型分析了磁场结构尺寸对磁场强度的影响,优化了磁场结构;分析了线圈规格对磁场功率的影响,优化了磁场功率;并通过实验验证了建模方法的有效性.实验结果表明:该模拟方法可用于大尺寸单晶炉cusp磁场的实际设计.

关键词: cusp磁场 , 单晶炉 , 参数优化 , 功率优化

真空退火炉智能变结构控制方法的研究与应用

李晓斌 , 刘丁 , 刘强

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2006.01.031

从工程实际应用的角度出发,针对金属材料真空退火过程中系统的非线性、工艺参数的不确定性和对外部干扰的不灵敏性等特点,结合非线性不确定系统理论研究,采用神经网络建立系统的模型,利用自适应免疫遗传算法(AIGA)对滑模面和控制器的参数及神经网络的权值、阈值进行优化,得出了一种真空退火炉工件温度精确控制的智能变结构控制策略.实验表明,这种方法控制温差在±4℃,优于基于单一模型的模型参考自适应控制或PID策略的控制方式,具有较好的动态特性和耐久性.

关键词: 真空退火炉 , 智能变结构 , 自适应免疫遗传算法(AIGA) , 控制

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