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溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究

段磊 , 闵嘉华 , 梁小燕 , 张继军 , 凌云鹏 , 杨柳青 , 邢晓兵 , 王林军

人工晶体学报

采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.

关键词: 溶剂熔区移动法 , Cd0.9Zn0.1Te , 红外透过率 , 光致发光

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