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铈缓解镉对玉米种子的毒害效应研究

李庆 , 王应军 , 宗贵仪 , 王先明 , 郗晓丹 , 冷雪

稀土

采用水培实验的方法研究了不同浓度铈、镉单一及铈镉复合处理对玉米种子发芽率、d-淀粉酶活性、三种抗氧化酶(SOD、POD、CAT)活性、细胞膜脂过氧化产物丙二醛含量以及细胞膜透性的影响.结果表明,添加10 mg·L-1的Ce能缓解Cd对玉米种子的毒害,提高种子发芽率,增强α-淀粉酶活性、抗氧化酶(SOD、POD、CAT)活性,降低MDA含量和细胞质膜透性.当镉剂量为100 mg·L-1时,这种缓解作用不明显,甚至有加重毒害的趋势.

关键词: , 镉胁迫 , 玉米 , 抗氧化酶系统 , 膜质过氧化

氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备PMN-PT薄膜的微观结构和电学性能

何邕 , 李效民 , 高相东 , 冷雪 , 王炜

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11299

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上, 制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜. 研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响. 结果表明, 通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子, 可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构. 未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18 μC/cm2, 通过采用氧等离子体辅助, 其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm2.  

关键词: 脉冲激光沉积法 , PMN-PT thin films , microstructure , electrical properties

氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备PMN-PT薄膜的微观结构和电学性能

何邕 , 李效民 , 高相东 , 冷雪 , 王炜

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11299

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上,制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜.研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响.结果表明,通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子,可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构.未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18 μC/cm2,通过采用氧等离子体辅助,其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm2.

关键词: 脉冲激光沉积法 , PMN-PT薄膜 , 微观结构 , 电学性能

线阵CCD相机模拟器的分析与设计

李娜 , 丁亚林 , 冷雪 , 周九飞 , 郑飞

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.031

为降低某线阵CCD相机因屡次调试而被损坏的风险,对相机的特性和时序进行了分析,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的CCD相机模拟器.整个系统以FPGA作为核心器件,在FPGA内部开辟一片ROM,里面存放一幅标准图像的灰度值,在像素时钟的下降沿输出灰度值,并对像素时钟进行计数,产生外加行同步信号和行有效信号.仿真结果显示,此线阵CCD相机模拟器模拟过程符合实际相机的输出时序要求.模拟器的设计缩短了工程上的调试时间,为后期的采集和存储等处理提供了保证.

关键词: CCD , LVDS , FPGA , 模拟器

层状水滑石结构包覆钴硼合金的电化学产氧性能

冷雪 , 吴光栩 , 苏并坚 , 张凌云 , IanR.Gentle , 王大伟

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(17)62811-0

电解水制氧是一种非常有吸引力的转化储存间歇式能源的技术.本文着重研究了非晶态钴硼合金的电解水产氧性能.非晶态钴硼合金可以通过硼氢化钠直接还原钴盐来获取,并表现出较高的电化学活性.对钴硼合金的弱氧化,产生了类水滑石结构的钴氢氧化物,可进一步提高该类催化剂的整体催化活性,达到接近商业催化剂水平.

关键词: 非晶态合金 , 产氧反应 , 电催化剂

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