冯进军
,
丁明清
,
张甫权
,
李兴辉
,
白国栋
,
彭自安
,
廖复疆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.007
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值.测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声.对发射的失效机理进行了实验研究和分析,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电,尖锥和栅极孔间的暗电流,电极间的放电和放气,以及环境真空度和尖锥的不均匀性等.所得结果对进一步开展在射频器件和显示器件方面的应用研究打下了一定基础.
关键词:
平板显示
,
场致发射阵列阴极
,
发射稳定性
,
失效机理
,
射频器件
李兴辉
,
冯进军
,
王劲松
,
廖复疆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.010
讨论了微波管用电子枪的一般参数和要求,对于在微波管中应用场发射阵列阴极电子枪的情况作了分析,表明其中存在的主要问题是电子注散焦.通过比较场发射电子注聚焦的几种方法,利用传统电子枪整体聚焦的思想,初步设计了一个场发射阵列阴极电子枪模型,它包括场致发射阵列阴极,一个Whelnelt电极,一个聚焦电极和一个阳极.通过利用Mafia软件对电子注轨迹的模拟计算,对电子枪的聚焦部分进行了改进.
关键词:
平板显示器件
,
微波管
,
场致发射阵列阴极
,
电子枪
李兴辉
,
冯进军
,
白国栋
,
丁明清
,
张甫权
,
廖复疆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.005
在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定.通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物.采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小.研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义.
关键词:
场致发射阵列阴极
,
限流电阻
,
发射均匀性
,
老炼
,
发射稳定性
张巨先
,
梁龙
,
冯进军
稀有金属材料与工程
利用包覆法,首先通过将AlN粉体均匀分散到硼酸(H3BO3)和尿素(CO(NH2)2)的无水乙醇溶液中,制备出与硼酸和尿素均匀混合的AlN粉体.然后在氮气氛下,经过氮化处理来制备BN-AlN的复合粉体.DTA/TG分析显示,氮化反应从800 ℃开始,到1100 ℃时结束.XRD和TEM分析发现,复合粉体是由非晶态的BN均匀包覆AlN的复合颗粒组成.
关键词:
BN-AlN复合粉体
,
包覆型颗粒
,
氮化处理
丁明清
,
李莉莉
,
冯进军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0688
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为.对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9.值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理.如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留.另外,10 mg/L B2H6/CH4掺杂样品在酸溶液中处理后NEA消失,SEE较低,而在真空中加热后NEA明显恢复,SEE在1 kV时达到10.2.
关键词:
B掺杂金刚石膜
,
负电子亲和势
,
二次电子发射系数
,
氧化处理
