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PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究

张福甲 , 冯煜东 , 李东仓 , 胥超

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.013

利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理.

关键词: PTCDA/P-Si , AFM , 表面形貌 , 岛密度 , 衬底温度

ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究

张学宇 , 吴爱民 , 冯煜东 , 胡娟 , 岳红云 , 闻立时

人工晶体学报

用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.

关键词: ECR-PECVD , 磷掺杂 , 微晶硅薄膜 , 霍尔测量

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