刘大力
,
冯泉林
,
周旗钢
,
何自强
,
常麟
,
闫志瑞
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.021
研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带；较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失.利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体的生长结果,结合其c；-cv分布图,分析出这种环状分布的颗粒缺陷是由于晶体中间隙原子富集区产生的微缺陷,在外延过程中( 1050℃)聚集长大,从而在界面处造成晶格畸变引起的.随着衬底拉速的降低,间隙原子富集区的面积增大,硅片外延后越容易出现环状分布的颗粒缺陷.因此在单晶拉制过程中,为了避免这种环状缺陷的产生,应适当提高晶体的拉速.
关键词:
颗粒缺陷
,
外延
,
SP1
,
拉速
李宗峰
,
周旗钢
,
何自强
,
冯泉林
,
杜娟
,
刘斌
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.01.021
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.
关键词:
直拉硅单晶
,
大直径
,
空洞型微缺陷
,
晶体原生粒子缺陷
,
高温退火
王磊
,
周旗钢
,
李宗峰
,
冯泉林
,
闫志瑞
,
李青保
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.011
研究了高温退火过程中氩/氢混合气氛对300 mm硅片表面质量(原生颗粒缺陷和微粗糙度)的影响.在氢气含量不同的氩/氢混合气氛中,对样品进行1100℃,1h的高温退火处理,研究退火前后硅片表面原生颗粒缺陷和微粗糙度值的变化.实验结果表明,氩/氢混合气氛中氢气的含量对硅片表面原生颗粒缺陷的消除没有促进也没有抑制作用,增加氢气比例能促进硅片近表层处空洞型缺陷的消除；混合气氛中氢气的存在使得退火后硅片表面的微粗糙度值增加的更多,同时随着氢气比例的增加,表面微粗糙度增加的百分比总体呈递增趋势.最后就氢气对硅片近表面处空洞型缺陷的消除促进作用和氢气至表面微粗糙度变化机制做了分析.
关键词:
高温退火
,
表面微粗糙度
,
空洞型缺陷
,
原生颗粒缺陷
冯泉林
,
周旗钢
,
王敬
,
刘斌
,
刘佐星
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.002
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响.发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度.使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化.发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加.
关键词:
硅抛光片
,
洁净区
,
氧沉淀
,
内吸杂
,
原子力显微镜
,
微粗糙度
