徐建建
,
耿国盛
,
李国红
,
冯晶晶
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201506021
采用预应力切削方法对TC4钛合金进行加工,建立了预应力切削TC4钛合金的有限元模型,模拟了不同预应力下锯齿状切屑的形成过程及加工表面的残余应力分布情况,然后将模拟结果与试验结果进行了对比.结果表明:预应力切削可以调整已加工表面的残余应力分布状态和应力值,在弹性变形范围内,预应力越大,加工后表面的残余压应力越大,残余压应力的分布也越深;预应力对锯齿状切屑的形成无明显影响;模拟结果和试验结果具有较好的一致性.
关键词:
残余应力
,
预应力切削
,
锯齿状切屑
,
TC4钛合金
张大全
,
冯晶晶
,
高立新
中国腐蚀与防护学报
doi:10.3969/j.issn.1005-4537.2008.04.010
考察了半胱氨酸自组装膜Cu电极在0.5 mol/L HCl溶液中的电化学行为,结果表明半胱氨酸自组装膜导致cu电极的自腐蚀电位负移,能够在一定程度上抑制Cu电极的阴极电化学过程.在此基础上,通过静电沉积技术.将十二酸接枝到Cu表面半胱氨酸分子上.结果显示,十二酸修饰的半胱氨酸自组装膜对Cu电极的阴极电化学过程抑制作用进一步增强,提高了对Cu的保护.
关键词:
半胱氨酸
,
自组装双层膜
,
十二酸交流阻抗
,
电化学极化曲线
张大全
,
冯晶晶
,
高立新
中国腐蚀与防护学报
考察了半胱氨酸自组装膜Cu电极在0.5 mol/L HCl溶液中的电化学行为,结果表明半胱氨酸自组装膜导致Cu电极的自腐蚀电位负移,能够在一定程度上抑制Cu电极的阴极电化学过程｡在此基础上,通过静电沉积技术,将十二酸接枝到Cu表面半胱氨酸分子上｡结果显示,十二酸修饰的半胱氨酸自组装膜对Cu电极的阴极电化学过程抑制作用进一步增强,提高了对Cu的保护｡
关键词:
半胱氨酸
,
null
,
null
,
null
