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HoFe0.95Mn0.05O3单晶的自旋重取向相变和磁热效应研究

王冠伟 , 曹义明 , 袁淑娟 , 冯振杰 , 康保娟 , 鲁波 , 曹世勋 , 张金仓

低温物理学报

本文采用光学浮区法生长了HoFe0.95Mn0.05O3单晶样品,对其磁性和磁热效应进行了研究.研究表明,微量Mn的掺杂使HoFeO3的自旋重取向温度由58 K升高到102 K.磁化强度随温度变化和自旋重取向相变过程中的热滞现象共同说明,自旋重取向由原来HoFeO3中的Γ4(G,Fz)→Γ2(Gz,Fx)自旋重取向变为HoFe0.95 Mn0.05O3中的Γ4(G,Fx)→Γ1(Cx,Ax)的自旋重取向.磁熵计算表明,虽然在a轴方向得到了-16.7J/kg·K的磁熵变,HoFe0.95Mn0.05O3的磁熵变显示出明显的各向异性,但是微量Mn的掺杂并未对HoFeO3的磁熵造成明显的影响.

关键词: HoFe0.95Mn0.05O3 , 单晶 , 自旋重取向 , 磁热效应

Al掺杂NdFeO 3体系的晶体结构精修与磁特性研究?

郭沛音 , 曹世勋 , 黄若祥 , 冯振杰 , 曹义明 , 赵伟尧 , 康保娟 , 鲁波 , 张金仓

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.009

利用固相反应法制备了 Al 掺杂的 NdFe1-x Alx O3系列化合物。通过X射线粉末衍射和结构精修分析发现,随着Al掺杂量的增加,样品晶胞参数变小,晶胞内Fe—O 键长、Fe—O—Fe键角也发生了很大程度的改变,并且在a、b、c 方向上存在不同的变化规律。 Al掺杂导致样品结构上的改变对其磁学性质具有重要影响。磁测量结果表明,随着 Al 掺杂量的增加,由dzyaloshinsky-moriya(D-M)相互作用导致的宏观磁性逐渐减弱;由Nd离子磁晶格与 Fe 离子磁晶格耦合作用导致的体系自旋重取向相变温度向低温方向移动,样品的饱和磁化强度随着Al掺入浓度的增加呈减小趋势。表明Fe位非磁性元素 Al 的掺入,使得样品内部由D-M相互作用所引起的倾角反铁磁结构受到了明显的调制。

关键词: 稀土铁氧化物 , 晶胞结构 , 磁学性质

3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi4O4S3超导电性的影响

彭香连 , 尹训庆 , 冯振杰 , 黎杰 , 孙瑞 , 鲁波 , 康保娟 , 张金仓

低温物理学报

文章报道了3d金属离子X(X=Fe3+,Co3+,Mn4+)少量掺杂对新近发现的超导体Bi4O4S3结构及超导电性的影响.粉末X射线衍射数据表明,少量3d金属离子X的掺杂对晶格结构几乎没有影响.观察发现随着掺杂离子X半径的减少,超导转变宽度△Tc变窄,也就是少量3d金属离子X的掺入提高了Bi4O4S的超导电性.3d金属离子X的部分掺入提高了Bi4O4S3超导转变温度是一个非常值得关注的现象.

关键词: Bi4O4S3 , 超导电性 , Bi位替代 , 磁性离子掺杂

氧缺陷导致的结构无序对La2/3Sr1/3MnO3薄膜电输运特性的影响

张世龙 , 张金仓 , 冯振杰 , 姚雪灿 , 贾蓉蓉 , 敬超 , 曹世勋

低温物理学报

为了澄清结构无序对电输运特性,特别是低温下电阻极小的影响,采用脉冲激光沉积方法在LalO3(100)基片上制备了两类La2/3Sr1/3MnO3薄膜.一块是在通40Pa氧气的气氛下沉积,沉积后不再进行通氧气的原位退火.另一块在同样通40Pa氧气的气氛下沉积,但沉积后再在6×104Pa的氧气气氛下进行原位退火.对两种薄膜的结构,磁特性和电输运特性进行了对比研究.结果表明:氧缺陷导致了薄膜结构的无序,更导致了类似自旋玻璃行为的磁无序.电输运特性结果表明原位退火使得薄膜的金属一绝缘体转变温度Tc从约195K提高到335K.对由于结构无序的存在对低温电阻较小行为的影响作了系统对比研究,曲线拟合的结果表明对于缺氧薄膜和进行了原位退火的薄膜的低温电阻较小行为的主要影响因素分别是类近藤散射作用和电子一电子相互作用,这一结果对于澄清庞磁电阻锰氧化物体系的低温电阻极小现象有一定积极意义.

关键词: 锰氧化物 , 外延薄膜 , 结构无序 , 电阻极小

Nd4f电子对NdFxO1-xBiS2低温电子结构和磁特性影响的第一性原理研究

陈磊 , 冯振杰 , 曹世勋 , 张金仓

低温物理学报

本文采用第一性原理计算软件包VASP,系统地研究了不同F掺杂比例的新型层状超导体NdFxO1-xBiS2 (x=0,0.125,0.25,0.375,0.5)体系的晶格特性和电子结构,并着重研究了将Nd4f电子作为价电子引入对NdF0.5O0.5BiS2电子结构的影响和NdF0.5O0.5BiS2的磁有序结构.结果表明:引入F掺杂会减小晶格参数a的值,但随着掺杂比例的增加,a值又会逐渐增加,晶格参数c的值则保持递减的趋势;F掺杂比例为0.375时,费米能级处出现态密度峰值,意味着最佳掺杂;Nd4f电子作为价电子时会与Nd5d电子一起成为NdO(F)耗尽层中的载流子供体,不会改变BiS2超导层的电子结构;Nd子晶格局域磁矩的C-AFM型磁有序排列会大大增加体系的稳定性,成为最可能的磁性基态.

关键词: NdFxO1-xBiS2 , 电子结构 , Nd4f电子 , 磁有序

铁基K_(0.8)Fe_(2-y)Se_2体系的单晶生长与结构研究

李明涛 , 余慧玲 , 邓冬梅 , 冯振杰 , 曹世勋 , 张金仓

低温物理学报

本文报道了采用自助溶剂法对不同组分K0.8Fe2-ySe2单晶生长和结构研究的实验结果.X-射线衍射XRD(Cu靶和同步辐射)结构分析表明样品中存在两套衍射峰(分别对应相1和相2),相1能够用ThCr2Si2结构,空间群I4/mmm(No.139)指标化,对应超导相.而相2能够用单一米勒指数(0 0l)标定,可能对应一个新的物相.相2的存在能够在不同组分的KxFe2-ySe2单晶样品中很好的重复.利用高分辨透射电子显微镜(TEM)研究了K0.8Fe2Se2样品的"结构相分离"特征,结果表明样品中存在明显的位错缺陷,可能与两相结构的竞争有关.对K0.8Fe2Se2单晶样品直流磁化测量表明相2可能为弱铁磁性,从而引起高温Tp~125K的ZFC与FC磁性反常.

关键词: 单晶生长 , 晶体结构 , “245”-铁硒超导体

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