冯庆荣
,
曹科
,
徐军
,
郭建栋
,
王昕
,
熊光成
,
高政祥
,
徐洪清
,
佘冬玲
,
蔡杉
,
李占一
,
董妍
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.02.004
MgB2纤维超导体样品在750℃和850℃下被制备了出来,将它们与950℃下制备的MgB2纤维超导体样品相比较,具有了能弯曲的能力,不再像950℃下制备的样品那么脆而易断,不能弯曲.扫描电镜图像的观察表明750℃和850℃下制备的MgB2纤维超导体的结构是一层数百纳米厚的MgB2的薄膜生长在了硼纤维表面.由于硼纤维中绝大部分单质硼的存在,使750℃和850℃下制备出的MgB2纤维超导体样品具有了弯曲能力.
关键词:
陈莉萍
,
丁莉莉
,
庄承钢
,
张开诚
,
陈晋平
,
徐军
,
安玲
,
闫昌硕
,
熊光成
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.007
我们用混和物理化学气相沉积法(HPCVD)在不锈钢衬底上原位制备了以MgB2厚膜(约10微米厚)为过渡层的MgB2超导厚膜(约20微米厚)样品,两层膜总厚约30微米.X光衍射实验表明过渡层为(101)取向的织构膜,表层MgB2超导厚膜接近多晶膜,但有较强(101)取向,两者均含有少量的Mg和MgO杂相.此超导厚膜样品的Tc(onset)=37.8K,Tc(zero)=36.6K,ΔT=1.2K.对此样品的弯曲实验表明,以曲率半径500微米弯曲到180°后,样品仍具有Tc(onset)=37.8K,Tc(zero)=36.4K的超导电性.样品剖面SEM观测表明该膜结构致密,表面厚膜层和过渡层之间连接紧密.样品表面的SEM观测表明虽然样品弯曲导致表面MgB2超导厚膜面出现了裂缝,甚至有小部分膜面的脱落,但过渡层始终紧紧附着在不锈钢衬底上.这表明过渡层MgB2厚膜的存在大大地提高样品整体的柔韧性,展现了不锈钢衬底上的MgB2厚膜超导带(线)巨大的开发潜力和诱人的广阔应用前景.
关键词:
混合物理化学气相沉积(HPCVD)
,
MgB2超导厚膜
,
过渡层
,
不锈钢衬底
,
韧度
戴倩
,
孔祥东
,
冯庆荣
,
韩立
,
张怀
,
杨倩倩
,
聂瑞娟
,
王福仁
低温物理学报
利用电子束快退火法制备了MgB2超导薄膜.该方法利用高能电子束,在中真空条件下照射Mg-B多层前驱膜,照射时间维持在1s以下.在电子束的作用下,前驱膜中的Mg和B迅速反应,形成MgB2相.整个退火过程没有Mg蒸气与氩气保护,极短的退火时间有效地限制了前驱膜中Mg的流失和Mg与其它物质的反应.与传统制备工艺相比,该方法避免了混合物理化学气相沉积法中乙硼烷的使用；省去异位退火法中提供高Mg蒸气压的限制,避免在有Mg块存在情况下退火后样品表面存在Mg污染的问题.利用该方法在SiC(001)衬底上生长了100nm厚的MgB2薄膜,其超导转变温度Tc～35K,均方根粗糙度为3.6nm,临界电流密度Jc(5K,0 T) =3.8×106 A/cm2.该方法对MgB2薄膜的大规模工业生产提供了一个新思路.
关键词:
电子束退火
,
MgB2
,
超导薄膜
贾璋
,
郭蕙璞
,
吕莹
,
王新峰
,
陈晋平
,
徐军
,
王晓楠
,
朱萌
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.01.008
本文介绍了基于混合物理化学气相沉积法(HPCVD),以B2H6为硼源,在(000l)取向的Al2O3单晶衬底上,制备了MgB2超导体厚膜样品.该样品平均厚度约为40μm.其Tc(onset)=39K,Tc(0)=37.2K.X光衍射图显示该膜沿(101)方向生长,具有少量Mg和MgO杂相.SEM图像、X射线能量损失谱以及背散射电子衍射图证实了这两种杂相的存在,并显示该样品成分富镁.样品表面的镁与空气接触形成MgO膜,在一定程度上阻止了MgB2样品进一步被氧化.对于MgB2厚膜成膜过程及反应机理,我们提出了一种新的推断.
关键词:
MgB2超导膜
,
SEM图
,
EDX
,
X射线能谱
张辰
,
陈丽萍
,
王银博
,
吴桃李
,
刘文静
,
刘雨潇
,
薛驰
,
冯庆荣
低温物理学报
本文介绍了一种新的制备MgB2膜的方法--溶胶凝胶法.以Mg(BH4)2的乙醚溶液(Mg(BH4)2·Et2O)作为前驱体,将其覆涂于Al2O3(001)衬底上,并在Ma气氛保护下高温退火,得到了MaB2的多晶膜.与其它制备MgB2膜的方法相比,这种方法制备的膜具有较高品质,超导转变温度达到37K,临界电流密度Jc(5 K,0 T)～5×106A/cm2,上临界场Hc2(0)～19T.对于MgB2厚膜及线带材的制备,溶胶凝胶法被证明是一种极具潜力的方法.
关键词:
Mg(BH4)2·Et2O
,
MgB2膜
,
Sol-gel法
谢旭
,
沈庆飞
,
冯庆荣
,
徐晓林
,
李春光
,
郑萍
,
何豫生
,
高政祥
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.013
我们用四引线法测量了MgB2超导线和不同电极材料之间的接触电阻,电极材料包括金,铟和银胶.实验数据显示,用热蒸发镀膜的方法制备上的金属材料电极和超导线之间有较小的接触电阻,对电极材料进行后期的退火处理可以有效的降低接触电阻的大小.
关键词:
丁莉莉
,
姚丹
,
陈莉萍
,
庄承钢
,
张开诚
,
陈晋平
,
熊光成
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.101
我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起始转变温度Tc(onset)＝40.3K,转变宽度ΔT为0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,剩余电阻比率RRR=R300K/R50K=10.样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜具有较好的c轴取向,晶粒大小约200nm.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=7.6×106A/cm2,不同磁场下测得R～T曲线可以外推得到Hc2(0K)约10T.这些结果表明HPCVD技术在MgB2薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.
关键词:
MgB2薄膜
,
X-光衍射图
,
SEM图
,
R～T曲线
,
M～H曲线
李光临
,
宋炜
,
孟立飞
,
冯庆荣
,
高政祥
,
张西祥
,
温戈辉
,
郑荣坤
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.014
在32～34K温度和0.5T初始磁场中,MgB2超导块材的磁弛豫性质通过剩余磁化强度M随时间t的变化进行了研究.在初始阶段,M～lnt明显偏离线性,磁通运动接近Zeldov对数模型.足够长的时间后,M～lnt呈现很好的线性,磁通运动符合Anderson-Kim模型.
关键词:
王新峰
,
郭荆璞
,
贾璋
,
吕莹
,
朱萌
,
王晓楠
,
陈晋平
,
徐军
,
冯庆荣
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.013
介绍用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备的不锈钢衬底MgB2超导厚膜样品.该样品的Tc(onset)=38K,Tc(0)=27K.X光衍射图形表明它是(101)方向织构的致密厚膜.这种膜具有较强的韧性,同时和衬底有高度的结合性.当其被弯曲到约200微米半径的弧度时,膜面会出现条状裂纹,但仍有少部分膜面未被破坏,保持完整,表现出较好的韧性.
关键词:
MgB2
,
厚膜超导体
,
不锈钢衬底
,
SEM图
,
X-光衍射
庄承钢
,
安玲
,
陈莉萍
,
丁莉莉
,
张开诚
,
陈晋平
,
徐军
,
冯庆荣
,
甘子钊
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.02.002
我们用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备了一批不锈钢衬底的MgB2超导厚膜样品,厚度在10～30μm间,Tc(onset)是37.8～37.2K,超导转变宽度ΔT在1.2K左右,是(101)方向织构的致密厚膜,并有少许MgO杂相.对样品进行弯折研究,随着弯曲角度的增加,膜面出现不同程度的条状裂纹,但仍能保持膜面的基本完整;虽然样品的超导起始转变温度降低、转变温区变宽,性能有所下降,但超导特性仍能保持在一个很好的水平上.这个结果表明了采用HPCVD方法制备不锈钢衬底带材将会很好地克服MgB2超导膜由于硬脆的性质而无法绕制磁体的问题,有着十分重要的应用意义.
关键词:
混合物理化学气相沉积(HPCVD),MgB2超导厚膜,不锈钢衬底,韧度
