冯团辉
,
卢景霄
,
张宇翔
,
郜小勇
,
杨仕娥
,
李瑞
,
靳锐敏
,
王海燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034
为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.
关键词:
快速热退火
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
,
晶粒尺寸
,
暗电导率
张宇翔
,
王海燕
,
陈永生
,
杨仕娥
,
郜小勇
,
卢景霄
,
冯团辉
,
李瑞
,
郭敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.
关键词:
多晶硅薄膜
,
快速光热退火
,
固相晶化
张丽伟
,
卢景霄
,
李瑞
,
冯团辉
,
靳锐敏
,
张宇翔
,
李维强
,
王红娟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.037
本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在"温度临界点",然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的"温度临界点".结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在"温度临界点";在"温度临界点"前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点.进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中"温度临界点"可能不止一个.
关键词:
温度临界点
,
薄膜结构
,
X射线衍射
,
拉曼光谱
冯团辉
,
张宇翔
,
王海燕
,
靳瑞敏
,
卢景霄
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.03.038
论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.另外,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法.
关键词:
非晶硅薄膜
,
再结晶技术
,
多晶硅薄膜太阳电池
,
Raman光谱
,
晶粒尺寸
,
结晶度
靳瑞敏
,
卢景霄
,
冯团辉
,
王海燕
,
张丽伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.023
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
传统炉退火
,
量子态
,
晶粒大小
