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杨丁熬 , 冯仁华 , 郑东风
耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2002.03.025
关键词:
冯仁华 , 张溪文 , 韩高荣
材料科学与工程学报
本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd>102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.
关键词: PECVD , na-Si:H , 掺杂比 , 激活能