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未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能研究

苟昌华 , 武明珠 , 郭永林 , 杨永强 , 关晓亮 , 段羽 , 王红波

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153004.0602

铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术.源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低.利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火...

关键词: 薄膜晶体管 , InGaZnO , 接触电阻 , 缓冲层

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