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Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究

李强 , 介万奇 , 傅莉 , 汪晓芹 , 查钢强 , 曾冬梅 , 杨戈

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.052

对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流.主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率.

关键词: CZT晶体 , PL谱 , I-V特性 , C-V特性

Au与p-CZT接触的界面势垒研究

李强 , 介万奇 , 傅莉 , 查钢强

功能材料

用同步光电子能谱研究了NH4F/H2O2钝化p-CZT表面效应, 钝化处理晶体表面后,表面态能峰消失.用未钝化和钝化两种工艺方法来对比p-CZT晶体表面的钝化效果.同时用同步光电子能谱研究了Au与p-CZT接触的界面势垒.其中界面势垒可以由价带区域的新能级EV-C 和新能级与Fermi能级的差决定.未钝化和钝化的Au/p-CZT的界面势垒分别为(0.88±0.1)eV和(1.17±0.1)eV.

关键词: 同步光电子能谱 , 界面势垒 , 钝化

不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究

孙叶 , 孙晓燕 , 介万奇 , 王涛 , 罗林 , 傅莉

人工晶体学报

通过X射线粉末衍射方法对大气环境下25~100℃条件下的碲铟隶晶体结构进行了研究.借助Rietveld方法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度.结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,品格常数约为0.63163 nm;随着温度的升高,Hg的占位率逐渐降低,Hg空位的浓度有所提高;MIT的品格常数呈现出先减小后增大的趋势.

关键词: 碲铟汞 , 空位 , 晶格常数 , Rietveld方法

S135钻杆的摩擦焊接、热处理对其组织与性能的影响

毛信孚 , 傅莉 , 尚高锋 , 赵仁存 , 史弼

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.01.012

对S135钻杆同种钢材36CrNiMo4A的摩擦焊接、热处理工艺参数及其强韧性进行了试验分析和研究,分析了原有摩擦焊接和热处理工艺造成接头韧性偏低的原因,优化了摩擦焊接和热处理工艺参数,改善和提高了S135钻杆的组织和性能,达到甚至超过了同类产品NKK S135钻杆的组织和性能.

关键词: 钻杆 , 摩擦焊接 , 焊接头 , 性能

Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响

李强 , 介万奇 , 傅莉 , 汪晓芹 , 查钢强 , 杨戈

功能材料

对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的I-V特性进行了研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1nm的TeO2氧化层.用Agilent 4339B高阻仪进行未腐蚀、腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-V特性测试,结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,相应地减小了漏电流.

关键词: Schottky接触 , 钝化 , I-V特性

CdZnTe表面处理对其引线超声焊接质量的影响

聂中明 , 傅莉 , 任洁 , 徐聪

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.09.003

采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律.研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电极与外引线间容易实现超声焊接;CdZnTe电极厚度与引线焊合率之间呈抛物线关系,获得最佳焊接质量的电极厚度为180nrn左右.楔入压力和焊接功率是影响CZT金电极与引线焊接质量的重要因素,当焊接功率为2W、焊接压力为60×10-3kg、焊接时间20ms和烧球强度1.5W时,易获得良好的CdZnTe金电极与引线焊接接头.

关键词: CdZnTe晶片 , 超声焊接 , 表面处理 , 电极厚度

ZnO过渡层对Au/Hg3In2Te6肖特基接触特性的影响研究

刘淙元 , 傅莉 , 李亚鹏 , 王晓珍

人工晶体学报

利用脉冲激光沉积技术在Hg3In2Te6晶体表面制备ZnO过渡层,并对ZnO过渡层进行了表征.结合X射线光电子能谱深度剖析对ZnO/Hg3In2Te6界面元素的化合态进行研究,并通过半导体参数分析仪对Au/ZnO/Hg3In2Te6肖特基接触电学特性进行测试.研究结果表明,采用本实验条件可在Hg3In2Te6晶体表面获得结晶度高、表面粗糙度低,且沿(002)晶面择优生长的ZnO过渡层.同时,ZnO过渡层的引入使Au/Hg3In2Te6肖特基接触的漏电流降低一个数量级,势垒高度提高6.5%.这种现象可能是由于ZnO/Hg3In2Te6界面存在的互扩散使O原子占据了Hg原子空位,从而降低耗尽层中能级缺陷而引起.

关键词: Au/Hg3In2Te6 , ZnO过渡层 , 肖特基势垒

Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成机制的研究

刘文波 , 傅莉 , 李亚鹏 , 王晓珍

人工晶体学报

采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究.研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性.经拟合,在1V、3V、5V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950.当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏.通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV.研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因.

关键词: Hg3In2Te6 , 欧姆接触 , X射线光电子能谱 , 界面扩散

K418高温合金与42CrMo钢异种金属摩擦焊接头碳化物带形成机制

杜随更 , 傅莉 , 王晋伟 , 曹营

中国有色金属学报

采用摩擦焊接连接发动机涡轮增压器高温合金K418涡轮盘与调质钢42CrMo转子轴时,其接头常会发生低应力破坏和表面缺陷,拉伸断口外圈出现"光亮圆环".接头金相组织、断口微观形貌及接头元素成分分析表明,由于两种材料物理与化学性能的差异,焊接过程中发生了摩擦界面转移现象,新形成的"次生摩擦面"诱导碳元素在其上聚集,从而在高温合金一侧形成了一条沿着次生摩擦面分布的碳化物带,导致接头的低应力破坏.

关键词: 摩擦焊接 , 异种金属 , 碳化物 , 涡轮转子 , 次生摩擦面

碲铟汞晶体的透射电子显微分析

王新鹏 , 孙晓燕 , 介万奇 , 罗林 , 王涛 , 傅莉

人工晶体学报

采用垂直布里奇曼法,生长出直径为30 mm的Hg3In2Te6晶体.通过透射电子显微镜观察Hg3In2Te6晶体和第二相粒子的形貌,并利用选区电子衍射技术分析其物相.结果表明:晶锭基体的物相为Hg0.5In0.33Te;同时观察到了HgTe、In2Te3等第二相,尺寸为10~40 nm.推测晶体发生分解是形成第二相的原因.

关键词: Hg3In2Te6 , 第二相 , 透射电子显微镜 , 选区电子衍射

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