王治国
,
祖小涛
,
封向东
,
余华军
,
傅永庆
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.04.014
利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.
关键词:
TiNi基形状记忆合金薄膜
,
相变特征
,
示差扫描量热法(DSC)
,
基片曲率法
宁智华
,
王治国
,
傅永庆
,
祖小涛
材料导报
TiNi基形状记忆合金薄膜除具有和体材料相同的形状记忆特性外,还因表面积大、散热能力好,改善了体材料响应速度较慢的缺点,在微电子机械系统领域是一种具有广阔应用前景的材料.综述了近年来TiNi基形状记忆合金薄膜研究现状,并对其应用进行了评述.
关键词:
TiNi基形状记忆合金
,
薄膜
,
制备
,
微驱动器
