刘岩
,
江伯鸿
,
周伟敏
,
王锦昌
,
冯楚德
,
谢华清
,
倪沛汶
无机材料学报
Ｎｉ２ＭｎＧａ晶体同时具有强铁磁性、大磁致伸缩、温控和磁控形状记忆效应，其磁控形状记忆效应的响应频率接近压电陶瓷，输出应变和应力接近温控形状记忆合金，是近年来发现的一类新型功能晶体．Ｎｉ２ＭｐＧａ晶体７７Ｋ时在［００１］方向，仅２ＭＰａ的预应力即可产生５％的温控可回复应变，已接近 ＴｉＮｉ合金 ６％～８％的可回复应变量；非化学剂量的 Ｎｉ。ＭｎＧａ晶体室温条件下在［００１］方向， ６ ｈＯｅ外磁场已诱发产生 ０．３１％的输出应变，远超过巨磁致伸缩材料Ｔｅｒｆｅｎｏｌ－Ｄ输出应变０．１７％的水平．由于该晶体在磁场控制下表现出的大输出应变和应力，以及响应频率快和可精确控制的综合特性，使其可能在声纳、微位移器、线性马达、微波器件、振动和噪声控制、机器人和智能结构等诸多领域有重要应用，成为未来新一代驱动器和传感器材料．本文综述了Ｎｉ２ＭｎＧａ单晶的基本性能、磁控形状记忆效应的机理、本质以及影响性能的因素等。
关键词:
Ni2MnGa
,
magnetic-field-induced strain
,
magnets-shape-memory effect
,
magnetostrictive
,
martensitic transformation
刘岩
,
江伯鸿
,
周伟敏
,
王锦昌
,
冯楚德
,
谢华清
,
倪沛汶
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.001
Ni2MnGa晶体同时具有强铁磁性、大磁致伸缩、温控和磁控形状记忆效应，其磁控形状记忆效应的响应频率接近压电陶瓷，输出应变和应力接近温控形状记忆合金，是近年来发现的一类新型功能晶体．Ni2MnGa晶体77K时在[001]方向，仅2MPa的预应力即可产生5％的温控可回复应变，已接近TiNi合金6％～8％的可回复应变量；非化学剂量的Ni2MnGa晶体室温条件下在[001]方向，6 kOe外磁场已诱发产生0．31％的输出应变，远超过巨磁致伸缩材料Terfenol-D输出应变0．17％的水平．由于该晶体在磁场控制下表现出的大输出应变和应力，以及响应频率快和可精确控制的综合特性，使其可能在声纳、微位移器、线性马达、微波器件、振动和噪声控制、机器人和智能结构等诸多领域有重要应用，成为未来新一代驱动器和传感器材料．本文综述了Ni2MnGa单晶的基本性能、磁控形状记忆效应的机理、本质以及影响性能的因素等．
关键词:
Ni2MnGa
,
磁诱发应变
,
磁控形状记忆效应
,
磁致伸缩
,
马氏体相变
