曹建岭
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徐强
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朱时珍
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王富耻
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赵俊峰
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倪川浩
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冯超
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结技术(SPS)在不同的烧结温度下对ZrB2-SiC超高温陶瓷进行烧结,研究了烧结温度对烧结体致密化的影响.结果表明,在烧结温度分别为1650℃、1750℃、1850℃和1950℃,升温速度为200℃/min,保温时间为1 min,压力为50 MPa时,随着烧结温度的提高,烧结体的致密度呈上升趋势.当烧结温度高于1850℃时,烧结体的致密化过程明显加剧;通过对不同烧结温度下制得的试样的XRD谱图分析发现,当温度高于1850℃时ZrB2-SiC陶瓷中的SiC相会发生3C相到4H相的转变,这可能就是当烧结温度高于1850℃时烧结体致密度会急剧上升的原因.
关键词:
ZrB2-SiC
,
SPS
,
烧结温度
,
致密化
徐强
,
朱时珍
,
倪川浩
,
曹建岭
,
赵俊峰
,
冯超
,
王富耻
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结炉在不同温度下对SiC陶瓷进行烧结,烧结温度分别为1250、1450、1650、1850 ℃,升温速度均为200 ℃/min,升到温度后立即冷却.基于烧结后SiC陶瓷的扫描电镜观察,对SiC陶瓷的放电等离子烧结机理进行了初步探讨.研究结果表明,随着烧结温度的提高,SiC陶瓷的致密化程度逐渐提高,在1250 ℃和1450 ℃烧结的试样微观组织中很难发现烧结现象,但在小颗粒间发生局部的烧结痕迹,在1650 ℃烧结的试样微观组织中存在小颗粒的烧结现象,大颗粒间仍然没有烧结,颗粒形貌基本保持原始粉末的形貌,而在1850 ℃烧结的试样微观组织中存在大量的烧结颈现象,而且颗粒形貌呈球形.因而SiC陶瓷的放电等离子烧结机理可能是低温下的焦耳热烧结机理和高温下的放电和焦耳热共同作用机理.
关键词:
SiC陶瓷
,
放电等离子烧结
,
烧结机理
