王华
,
于军
,
王耘波
,
倪尔瑚
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2002.11.008
采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响.研究表明,退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态,退火温度在550～850℃范围时均为多晶薄膜,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大,但在较高温度下增长速度趋缓.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4Ti3O12
,
微观结构
,
退火温度
