俞建群
,
徐政
,
卢定伟
,
单磊
,
王峰
,
徐乐康
,
唐玉立
,
冯波
,
金新
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.04.007
本文以Ⅱ类超导体Abrikosov磁通结构理论为依据,采用典型的热力学方法,论证了Ⅱ类超导体在HC1相变点由Meissner态到低场混合态的相变,以及在HC2相变点由高场混合态到正常态的相变性质.我们的论证结果表明:II类超导体在HC1相变点与HC2相变点的相变均为二级相变,两相的比热差方程直接依赖相平衡曲线关系,且理论值与实验值比较的一致性约为90%.
关键词:
黄志强
,
徐政
,
方明豹
,
俞建群
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.04.021
用粉体制备和高温熔凝工艺在n<111>型单晶硅基片上制备了非晶态SiO2-ZnO-B2O3复合膜驻极体,实现对SiO2薄膜驻极体的改性恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharged,TSD)实验表明,B3+、Zn2+的掺杂对SiO2薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响:TSD放电电流峰稳定于t=238℃处,峰位不随充电温度和充电电压变化;正、负TSD电流谱关于温度轴对称.用离子掺杂可以有效地改变SiO2薄膜驻极体内的微观网络结构,影响其电荷贮存性能.
关键词:
离子掺杂
,
二氧化硅
,
复合膜
,
驻极体