张孝彬
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张泽
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齐仲甫
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李文铸
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俞大鹏
材料研究学报
应用电子显微技术, 研究了以纳米碳管为媒介生长的SiO2晶须的形貌及其结构特征, 这些晶须为六角结构的α-SiO2, 直径为数十纳米, 长度可达100μm以上, 生长方向一般为[11-20]方向, 且在棱面方向上存在互成120º的面缺陷.
关键词:
纳米碳管
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null
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null
周江峰
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王建朝
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李昌义
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潘华勇
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冯孙齐
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俞大鹏
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.01.003
报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气氛中1 000℃左右进行反应,结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须,及纳米线.许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的如梯子状的形貌.研究还发现,大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向(c轴方向).X射线衍射谱揭示,反应产物为非常纯的氮化镓晶体,而低温光致发光谱分析则发现,氮化镓微米晶须在520 nm处有一个杂质发光峰.这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理,并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件.
关键词:
氮化镓
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晶须
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半导体纳米线
,
蓝光发光二极管
韩伟强
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范守善
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李群庆
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顾秉林
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俞大鹏
无机材料学报
本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段，对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．并具有峰值位于430nm的蓝光发射带，本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论．
关键词:
碳化硅纳米晶须
,
null
,
null
俞大鹏
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.008
利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰发生蓝移,而绿、蓝峰没有移动.红光PL与量子尺寸限制效应有关,而绿、蓝光PL来源于表层氧化硅中的缺陷发光.
关键词:
纳米硅
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量子线
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光致发光
,
量子限制
,
高分辨电镜
