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热塑形方法制备N型Bi2Te3材料

张丽丽 , 张建中 , 侯旭峰 , 任保国

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.06.036

本文介绍了采用热塑形方法制备N型Bi2Te3温差电材料.并且给出了所获得样品的密度、抗弯强度、SEM以及温差电性能(包括电导率和塞贝克系数)的测试结果.实验结果表明,在最佳的热塑形工艺下制备的样品的功率因子与区熔材料相当,但其机械强度要明显优于区熔材料.热压塑形样品在垂直于塑形压力的方向上具有良好的取向,并且样品在此方向上的功率因子远远大于其在平行压力方向上的功率因子值.

关键词: N型Bi2Te3材料 , 热塑形 , 取向 , 温差电性能

高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究

侯旭峰 , 荆海 , 谷长栋 , 张会平

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.004

利用电化学沉积法,以65±1 ℃的0.1 mol/L Zn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118 Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜.利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗粒的六方形结构逐渐明显.利用X射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对ZnO薄膜择优取向的影响,结果表明ZnO薄膜的(002)择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的,而且随沉积时间的增加(002)择优取向也逐渐减弱.透射光谱测量表明,实验所获得的ZnO薄膜在可见光范围内是透光的,平均透过率高达80%~90%,不同阴极电势下的禁带宽度均为3.5 eV左右,且在阴极电势为-2.5 V时,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小.

关键词: ZnO薄膜 , 电化学沉积 , ITO基板 , 禁带宽度

ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能

侯旭峰 , 荆海 , 张会平

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.010

以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加刺,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜.并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响.实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加.电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用.X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1 020.78 eV、1 046.88 eV和530.8 eV.CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学.此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0 mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能.添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27~3.52 eV.

关键词: ZnO , 薄膜 , 电沉积 , 光致发光

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