邓书康
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董国俊
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杨晓坤
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刘虹霞
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侯德东
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李明
人工晶体学报
采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5h.采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究.结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著.具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm.将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm.与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃.
关键词:
多晶硅薄膜
,
电子束蒸发
,
非晶硅
,
Ge诱导晶化
侯德东
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刘应开
无机材料学报
在聚氧乙烯五醚（NP5）,聚氧乙烯九醚（NP9）,乳化剂（OP）和环己烷组成的微乳体系中制备二氧化锡前驱物.然后再经800～820℃焙烧2.5h,成功地制备了直径为30～90nm,长5～10μm的金红石结构的二氧化锡纳米棒,并用透射电子显微镜,电子衍射,X射线衍射对二氧化锡纳米棒的结构进行了表征.用熔盐合成机理对其形成进行了讨论,初步认为是成核、长大过程形成了二氧化锡纳米棒.
关键词:
SnO2纳米棒
,
microemulsion
,
molten salt synthesis method
,
nucleation and growth process
侯德东
,
刘应开
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.008
在聚氧乙烯五醚(NP5),聚氧乙烯九醚(NP9),乳化剂(OP)和环己烷组成的微乳体系中制备二氧化锡前驱物.然后再经800～820°C焙烧2.5h,成功地制备了直径为30～90nm,长5～10μm的金红石结构的二氧化锡纳米棒,并用透射电子显微镜,电子衍射,X射线衍射对二氧化锡纳米棒的结构进行了表征.用熔盐合成机理对其形成进行了讨论,初步认为是成核、长大过程形成了二氧化锡纳米棒.
关键词:
SnO2纳米棒
,
微乳
,
熔盐合成
,
成核、长大过程
